|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 400–407
-
Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 41–43
-
Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах
Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 95–101
-
Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 50–58
-
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246
-
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530
-
Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 132–137
-
Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 125–131
© , 2024