RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Arun Samuel T S

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. TCAD simulation study of single, double, and triple material gate engineered trigate FinFETs

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  426


© МИАН, 2024