Пушкарев Сергей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  877–884
2. Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1203–1210
3. Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  258–266
4. Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  586–590
5. Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  395–401
6. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
7. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534
8. Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  322–330
9. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573
10. Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  195–203