Данилов Л В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288
2. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
3. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
4. Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1393–1399
5. Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201
6. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800


7. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476