Трегулов Вадим Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления
   
   ЖТФ, 89:5 (2019),  737–743
2. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  24–27
3. Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе $p$–$n$-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   ЖТФ, 88:12 (2018),  1863–1867
4. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  751–756
5. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  3–9
6. Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   ЖТФ, 86:11 (2016),  91–94
7. Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом
   
   Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  16–22
8. Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdA/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 3,  124–132
9. Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, № 3,  140–150