Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As
Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 359–364
-
Особенности импульсного лазерного отжига пленок ВС$_{3}$ на сапфировой подложке
Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 26–29
-
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 201–206
-
Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 120–127
-
Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании
Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 34–41
© , 2024