Середова Наталья Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
2. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
3. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090