Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 832–838
-
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511
-
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320
-
GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 511
-
Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 34–40
-
Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1116–1124
© , 2024