|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 736–740
-
Параметры зонной структуры тонких пленок Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) на подложках с различным температурным расширением
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 616–619
-
Термоэдс тонких пленок Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.15) на подложках из слюды и полиимида в температурном интервале 77–300 K
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 593–596
-
Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения
Физика твердого тела, 60:3 (2018), 452–455
-
Гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi$_{95}$Sb$_{5}$ на подложках с различным температурным расширением
Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 71–79
-
Влияние отжига при температуре выше температуры солидуса на структуру и гальваномагнитные свойства тонких пленок твердого раствора Bi$_{92}$Sb$_{8}$
ЖТФ, 87:7 (2017), 1071–1077
-
Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 917–920
-
Зависимость морфологии поверхности ультратонких пленок висмута на слюдяной подложке от толщины пленки
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 914–916
-
Измерение толщины блочных пленок висмута методом атомно-силовой микроскопии с применением избирательного химического травления
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 877–879
-
Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 867–869
© , 2024