Тимошина Наиля Харисовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
2. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
3. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38
4. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
5. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
6. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
7. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
8. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
9. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
10. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530