Векслер Михаил Исаакович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  844–849
2. О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1631–1635
3. Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1177–1182
4. Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник–кристаллический диэлектрик–Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  900–905
5. Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  254–259
6. Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  150–157
7. Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  467–471
8. Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  683–688
9. Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  62–69