RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кожемяко Анастасия Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1030–1036
  2. Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  810–815
  3. In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик

    ЖТФ, 88:12 (2018),  1900–1907
  4. Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний

    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  778–782


© МИАН, 2024