Горячев Андрей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  332–339
2. Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами $^{64}$Zn$^{+}$ и $^{16}$O$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  827–835
3. Nanoparticle formation in Zn$^{+}$ and O$^{+}$ ion sequentially implanted SiO$_{2}$ film
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  521