RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кудрявцев Юрий Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
  2. Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца

    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2325–2330
  3. Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1189–1195
  4. Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  579–584
  5. Взаимодействие паров воды с поверхностями силикатных стекол: масс-спектрометрическое исследование

    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  75–82
  6. Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2203–2207
  7. Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2160–2163


© МИАН, 2024