Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048
-
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 881–890
-
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124
-
Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132
© , 2024