|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 586–590
-
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539
-
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330
-
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 567–573
-
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203
© , 2024