RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Копач Владимир Романович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди
Физика и техника полупроводников
,
52
:9 (2018),
1081–1093
Барьерная гетероструктура
$n$
-ZnO/
$p$
-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
Физика и техника полупроводников
,
51
:6 (2017),
821–829
Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе
Физика и техника полупроводников
,
51
:3 (2017),
348–357
Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения
Физика и техника полупроводников
,
50
:3 (2016),
357–368
©
МИАН
, 2024