Отченашко А Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1081–1093
2. Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  821–829