RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Павлов Владимир Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  461–466
  2. Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN

    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  96–103
  3. Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1434–1438
  4. Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1138–1142


© МИАН, 2024