RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Павлов Владимир Юрьевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Физика и техника полупроводников
,
51
:4 (2017),
461–466
Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN
Письма в ЖТФ
,
43
:22 (2017),
96–103
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si
$_{3}$
N
$_{4}$
in situ
Физика и техника полупроводников
,
50
:10 (2016),
1434–1438
Двухслойная диэлектрическая маска Si
$_{3}$
N
$_{4}$
/SiO
$_{2}$
для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Физика и техника полупроводников
,
50
:8 (2016),
1138–1142
©
МИАН
, 2024