Вьюгинов Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
2. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
3. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
   
   Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86