Фоломин П И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
2. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии
   
   Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  27–35