Горбунов Руслан Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1235–1242
2. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
3. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
4. Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  32–38