RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Вороненков Владислав Валерьевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
Физика и техника полупроводников
,
51
:9 (2017),
1235–1242
Отделение слабо легированных пленок
$n$
-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
Физика и техника полупроводников
,
51
:1 (2017),
116–123
Лазерное отделение пленок
$n$
-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в
$n^{+}$
-GaN подложках
Физика и техника полупроводников
,
50
:5 (2016),
711–716
©
МИАН
, 2024