RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Мурашов В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347


© МИАН, 2024