Арутюнян Спартак Самвелович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1434–1438
2. Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1138–1142