Пашковский А Б

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
2. Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов
   
   ЖТФ, 89:2 (2019),  252–257
3. Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  11–14
4. Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT
   
   Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  103–110
5. Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  623–631
6. Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  453–460
7. Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
   
   Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  42–51
8. Высокая эффективность двухчастотной лазерной генерации в трехбарьерных наноструктурах с баллистическим транспортом электронов
   
   Письма в ЖТФ, 42:18 (2016),  88–94
9. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
   
   Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
10. Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  620–624
11. Высокая прозрачность двухфотонного канала рассеяния в трехбарьерных структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009),  32–37
12. Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:4 (2005),  228–233
13. Высокая интенсивность межзонных электронных переходов в двухбарьерных структурах с высокочастотным электрическим полем
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  92–95
14. Влияние виртуальных переходов в высокочастотном поле на электронный транспорт в трехбарьерных структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:11 (2001),  698–701
15. Границы применимости двухуровневых моделей резонансного взаимодействия электронов с переменным электрическим полем в двухбарьерных структурах
    
    ТМФ, 120:2 (1999),  332–341