Кузнецов Пётр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация третьей гармоники терагерцового излучения в топологических изоляторах на основе халькогенидов висмута и сурьмы
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:6 (2023),  397–402
2. Выявление поверхностных состояний в топологических изоляторах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ по магнитотранспортным измерениям
   
   Физика твердого тела, 61:2 (2019),  239–242
3. Многоцветный фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs
   
   Квантовая электроника, 48:7 (2018),  675–678
4. МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  258–262
5. Акустооптический метод фильтрации пространственных частот, основанный на дифракции двух собственных мод кристалла
   
   Квантовая электроника, 47:7 (2017),  665–668
6. Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  700–705
7. Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  9–16
8. Акустооптическая дифракция многоцветного излучения Ar-лазера в кристаллическом кварце
   
   Квантовая электроника, 45:10 (2015),  942–946
9. Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 42:7 (2012),  583–587
10. Сверхбыстрые оптические модуляторы, основанные на нелинейном оптическом отклике электронно-дырочной плазмы
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  361–366
11. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  857–862
12. Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1007–1009
13. Использование эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных из элементоорганических соединений, для лазеров с электронной накачкой
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1887–1888