Новиков Александр Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О механизме ионно-индуцированной кристаллизации в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1841–1844
2. Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1132–1133
3. Формирование скрытого слоя $\beta$-Si$_{3}$N$_{4}$ при высокоинтенсивном ионном облучении (ВИО) кремния
   
   ЖТФ, 59:1 (1989),  200–202
4. Образование двойников и гексагональной модификации в кремнии при облучении интенсивными пучками ионов Аr$^{+}$
   
   ЖТФ, 58:3 (1988),  548–551
5. Остаточные дефекты в кремнии при имплантации ионов As$^{+}$ в самоотжиговом режиме
   
   Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1863–1867
6. Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  920–922
7. Отжиг дефектов и электрическая активация примеси в процессе высокоинтенсивного ионного легирования кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1726–1728
8. Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  149–152
9. Кристаллизация и эффект отжига макродефектов в процессе высокоинтенсивной ионной имплантации полупроводниковых кристаллов
   
   Письма в ЖТФ, 11:18 (1985),  1110–1113