Амельчук Дмитрий Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  11–14
2. Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  501–504
3. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098