Оболенский Станислав Валерианович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  844–847
2. Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения после нейтронного воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  770–773
3. Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур “кремний-на-изоляторе” после воздействия рентгеновского излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  753–758
4. Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  693–699