Рожавская Мария Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
   
   Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858