RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Wang Fu-Min
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Comparative Investigation of InGaP/GaAs/GaAsBi and InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors
Физика и техника полупроводников
,
49
:10 (2015),
1407–1410
Comparative investigation of GaAsSb/InGaAs type-II and InP/InGaAs type-I doped–channel field–effect transistors
Физика и техника полупроводников
,
49
:2 (2015),
261–265
Influence of gate-to-source and gate-to-drain recesses on GaAs camel-like gate field-effect transistors
Физика и техника полупроводников
,
48
:9 (2014),
1254–1257
©
МИАН
, 2025