RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Gaquiere Christophe
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Effect of surface passivation by SiN/SiO
$_2$
of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method
Физика и техника полупроводников
,
47
:7 (2013),
1002–1005
©
МИАН
, 2025