Павленко М В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Выращивание гетероструктур GaN/InGaN методом аммиачной МЛЭ с использованием “смачивающего” слоя металлического индия
   
   Письма в ЖТФ, 34:18 (2008),  33–40
2. Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках AlN/SiC
   
   Письма в ЖТФ, 34:16 (2008),  65–71
3. Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si
   
   Письма в ЖТФ, 34:7 (2008),  58–64