Данилов Юрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
2. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
   
   Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
3. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
4. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
5. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
6. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
7. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
8. Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур
   
   Оптика и спектроскопия, 128:3 (2020),  399–406
9. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
10. Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1139–1144
11. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
12. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
13. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb
    
    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
14. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
15. О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  465–471
16. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
17. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
18. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
19. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
20. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  940–946
21. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
22. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
23. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2200–2202
24. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
25. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
26. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
27. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
    
    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
28. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
    
    ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
29. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
30. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
31. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1561–1564
32. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
33. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
34. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
35. Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости
    
    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  63–71
36. Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA 
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010),  312–317
37. Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  730–735
38. Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198
39. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39
40. Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006),  664–667
41. Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  189–191
42. Морфологические и структурные изменения $\mathrm{InSb}$ при ионной бомбардировке
    
    Докл. АН СССР, 248:5 (1979),  1111–1114