RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Яфясов Адиль Маликович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  202–204
  2. Resonance scattering across the superlattice barrier and the dimensional quantization

    Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016),  816–834
  3. A distinguished mathematical physicist Boris S. Pavlov

    Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016),  782–788
  4. Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich

    Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011),  32–50
  5. Resonance one-body scattering on a junction

    Наносистемы: физика, химия, математика, 1:1 (2010),  108–147
  6. Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах

    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  636–643
  7. Электрофизические свойства слоистой структуры на основе (CdHg)Te в системе полупроводник$-$электролит

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1339–1343
  8. Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых полупроводников (CdHg)Te

    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  748–750
  9. Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом эффекта поля в электролите

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  156–159
  10. Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  875–878
  11. Эффект поля на бесщелевом полупроводнике

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1144–1147
  12. Исследование плотности электронных состояний в разрешенных зонах на поверхности (CdHg)Te

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  633–637
  13. Определение плотности состояний в разрешенных зонах антимонида индия и сульфида свинца

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  954–957
  14. Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  393–397
  15. Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  818–823


© МИАН, 2024