|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1123–1131
-
Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD
Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 23–31
-
Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1082–1086
-
Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1078–1081
-
Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 9–14
-
Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P
Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 3–8
© , 2025