RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Федирко В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование уравнения пиннинга абрикосовского вихря на линейном дефекте в пластине сверхпроводника

    Матем. моделирование, 26:1 (2014),  33–41
  2. К моделированию туннельного переноса электронов из ультратонкого лезвийного автокатода

    Матем. моделирование, 24:12 (2012),  13–22
  3. Матричный метод для моделирования туннельного переноса

    Матем. моделирование, 22:5 (2010),  3–14
  4. Полевая эмиссия из кремния

    Матем. моделирование, 9:9 (1997),  75–82
  5. Численное моделирование методом макрочастиц электронного переноса в микровакуумных структурах с аксиальной симметрией

    Матем. моделирование, 7:9 (1995),  3–14
  6. Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1607–1612
  7. Возможные квантовые особенности одномерного баллистического транспорта в полупроводниковых структурах

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1713–1715
  8. Распределение электронов при диффузной инжекции через гетеропереход

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1756–1761
  9. Преобразование энергии в микроволновые колебания плазмы полупроводниковых структур с баллистическим переносом

    Докл. АН СССР, 291:1 (1986),  100–103
  10. Преобразование поверхностной электромагнитной волны дифракционной решеткой на диэлектрической пленке

    ЖТФ, 56:5 (1986),  917–918
  11. Исследование протекания тока в субмикронных полупроводниковых структурах при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1239–1242
  12. Влияние неоднородного разогрева носителей заряда при оже-рекомбинации на фотопроводимость полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1823–1826
  13. К теории высокочастотных свойств баллистических биполярных гетеротранзисторов

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1303–1306
  14. Высокочастотные свойства баллистических биполярных транзисторов с неоднородной базой

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1107–1110
  15. Особенности высокочастотных свойств баллистических биполярных гетеротранзисторов

    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  845–849
  16. Баллистический и квазибаллистический транспорт в полупроводниковых структурах

    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  769–786
  17. Влияние разогрева электронов и дырок на собственную фотопроводимость полупроводников в условиях оже-рекомбинации

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  191–194
  18. Отрицательная дифференциальная проводимость тонких полупроводниковых слоев при междолинном рассеянии электронов

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1340–1341
  19. Особенности высокочастотных свойств симметричной диодной структуры при баллистическом движении электронов

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  57–60


© МИАН, 2024