Буренков А Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Флуктуации зарядового состояния ионов: возможная причина увеличения дисперсии пробегов при высокоэнергетичной ионной имплантации
   
   Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  69–72
2. Численное моделирование формирования субмикронных легированных областей в полупроводниковых структурах
   
   Матем. моделирование, 2:10 (1990),  13–25
3. Модель каналирования ионов бора при высокоэнергетичном ионном легировании кристаллов кремния
   
   Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  4–8
4. Высокоэнергетичная ионная имплантация
   
   ЖТФ, 58:3 (1988),  559–566
5. К вопросу об излучении при каналировании электронов с энергией 16.9, 30.5, 54.5 МэВ в алмазе
   
   ЖТФ, 58:1 (1988),  195–197
6. Эффекты, сопутствующие каналированию ультрарелятивистских электронов в кристаллах
   
   ЖТФ, 56:11 (1986),  2214–2220
7. Уширение линий спонтанного излучения при плосткостном каналировании электронов
   
   ЖТФ, 55:11 (1985),  2184–2190