Дианов Евгений Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прогнозирование радиационно-наведенного поглощения света в волоконных световодах с сердцевиной из нелегированного кварцевого стекла в космических применениях
   
   ЖТФ, 89:5 (2019),  752–758
2. Антистоксова люминесценция в световодах с сердцевиной из высокогерманатного стекла, легированного висмутом
   
   Квантовая электроника, 49:3 (2019),  237–240
3. Проблемы создания гибридных перестраиваемых висмут-эрбиевых волоконных лазеров
   
   Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1164–1170
4. Новый радиационный центр окраски в световодах из германосиликатного стекла
   
   Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1143–1146
5. Передача сигнала со скоростью 25 Гб/с с использованием висмутового волоконного усилителя со сдвинутым на длину волны 1300 нм максимумом усиления
   
   Квантовая электроника, 48:11 (2018),  989–992
6. Использование нанопористых стекол для изготовления активных волоконных световодов, легированных висмутом с высокой концентрацией
   
   Квантовая электроника, 48:7 (2018),  658–661
7. Радиационно-наведенное поглощение в германосиликатных световодах, легированных висмутом
   
   Квантовая электроника, 47:12 (2017),  1120–1124
8. Непрерывный висмутовый волоконный лазер, перестраиваемый в спектральном диапазоне 1.65–1.8 мкм
   
   Квантовая электроника, 47:12 (2017),  1091–1093
9. Волоконный ВКР-лазер на основе кварцевого световода с полой сердцевиной, генерирующий излучение на длине волны 4.4 мкм
   
   Квантовая электроника, 47:5 (2017),  491–494
10. Висмутовый волоконный пикосекундный лазер с длиной волны 1.3 мкм и синхронизацией мод на нелинейном кольцевом зеркале
    
    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1077–1081
11. Волоконный висмутовый лазер с непрерывной перестройкой длины волны генерации в диапазоне 1.36 – 1.51 мкм
    
    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1068–1070
12. Волоконные лазеры
    
    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1067
13. Генерация второй гармоники в волоконном световоде во внерезонаторной и внутрирезонаторной схемах
    
    Квантовая электроника, 46:11 (2016),  989–994
14. Оптический усилитель с полосой более 200 нм на основе германосиликатного волоконного световода, легированного ионами висмута и эрбия
    
    Квантовая электроника, 46:11 (2016),  973–975
15. Висмутовый волоконный суперлюминесцентный источник ИК излучения для области длин волн 1700 – 1750 нм
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  787–789
16. Антистоксова люминесценция алюмо- и фосфоросиликатных световодов, легированных висмутом, при двухступенчатом ИК возбуждении
    
    Квантовая электроника, 46:7 (2016),  612–616
17. О возможном применении метаматериалов в конструкции кольцевого лазерного гироскопа
    
    Квантовая электроника, 46:6 (2016),  543–544
18. Револьверный световод с полой сердцевиной и отражающей оболочкой из двойных капилляров
    
    Квантовая электроника, 46:3 (2016),  267–270
19. Влияние структуры и изгибов многосердцевинного волоконного световода на перекрестные оптические помехи
    
    Квантовая электроника, 46:3 (2016),  262–266
20. Новое поколение волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 46:1 (2016),  1–10
21. Висмутовый волоконно-оптический усилитель для спектральной области 1600–1800 нм
    
    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1083–1085
22. Эффективная ВКР-генерация излучения с длиной волны 1.9 мкм в полом волоконном световоде c водородом
    
    Квантовая электроника, 45:9 (2015),  807–812
23. Высокотемпературное полиимидное покрытие для волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 45:4 (2015),  330–332
24. Люминесцентные свойства висмутовых активных ИК центров в стеклах на основе SiO₂ в спектральном диапазоне от УФ до ближнего ИК
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  59–65
25. Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия
    
    Квантовая электроника, 44:12 (2014),  1129–1135
26. Висмутовый суперлюминесцентный волоконный источник на длину волны 1.34 мкм
    
    Квантовая электроника, 44:7 (2014),  700–702
27. Новый висмутовый волоконный лазер, излучающий в диапазоне 1625 – 1775 нм
    
    Квантовая электроника, 44:6 (2014),  503–504
28. Волоконный лазер на основе активного световода, легированного теллуром
    
    Квантовая электроника, 44:2 (2014),  95–97
29. Роль кислородно-дырочных центров окраски в механизме фотопотемнения фосфоросиликатных световодов, легированных оксидом иттербия
    
    Квантовая электроника, 43:11 (2013),  1037–1042
30. Управление генерационными характеристиками эрбиевого волоконного кольцевого лазера с пассивной синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  691–698
31. ИК люминесценция в легированных висмутом германатных стеклах и волоконных световодах
    
    Квантовая электроника, 43:2 (2013),  174–176
32. На пороге пета-эры
    
    УФН, 183:5 (2013),  511–518
33. Влияние примесей переменной валентности на формирование висмутовых оптических центров в силикатном стекле
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  940–942
34. Возбуждение электронной подсистемы кремния с помощью фемтосекундного лазерного облучения
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  925–930
35. Активированные висмутом Mg-Al-силикатные стекла и волоконные световоды на их основе
    
    Квантовая электроника, 42:9 (2012),  770–773
36. Оптические свойства волоконных световодов на основе плавленого кварца, легированного висмутом, в диапазоне температур 300 — 1500 К
    
    Квантовая электроника, 42:9 (2012),  762–769
37. Легированные висмутом волоконные световоды — новый прорыв в лазерных средах для ближней ИК области спектра
    
    Квантовая электроника, 42:9 (2012),  754–761
38. Мощный тулиевый волоконный лазер с внутрирезонаторным управлением дисперсией
    
    Квантовая электроника, 42:5 (2012),  427–431
39. Оптические свойства ИК активных центров волоконных световодов из кварцевого стекла, легированного свинцом
    
    Квантовая электроника, 42:4 (2012),  310–314
40. ИК люминесценция волоконного световода на основе кварцевого стекла, легированного теллуром
    
    Квантовая электроника, 42:3 (2012),  189–191
41. Обнаружение в воде неравновесных фазовых переходов
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011),  92–94
42. Междоузельная молекула BiO как центр широкополосной ИК люминесценции в кварцевом стекле, легированном висмутом
    
    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1080–1082
43. Фотоиндуцированное поглощение и люминесценция в волоконных световодах, легированных ионами иттербия
    
    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1073–1079
44. Исследование индикатрисы рассеяния в высоколегированных волоконных световодах на основе кварцевого стекла
    
    Квантовая электроника, 41:10 (2011),  917–923
45. Лазер на германосиликатном волоконном световоде, легированном висмутом, с выходной мощностью 20 Вт на длине волны 1460 нм
    
    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  581–583
46. Брэгговские решетки второго порядка в одномодовых халькогенидных световодах
    
    Квантовая электроника, 41:5 (2011),  465–468
47. Микроструктурированные волоконные световоды с большим двулучепреломлением и малой асимметрией поля моды
    
    Квантовая электроника, 41:3 (2011),  243–248
48. Одномодовый волоконный световод с фотонной запрещенной зоной и сердцевиной из кварцевого стекла, легированного ионами иттербия
    
    Квантовая электроника, 40:12 (2010),  1137–1140
49. Волоконный световод с сердцевиной из германатного стекла для генерации излучения в области 2 мкм
    
    Квантовая электроника, 40:12 (2010),  1103–1105
50. Обратимые изменения коэффициента отражения волоконных брэгговских решеток разных типов
    
    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  879–886
51. Люминесценция кристаллов Cr²⁺:A^IIB^VI в халькогенидных волоконных световодах в среднем ИК-диапазоне
    
    Квантовая электроника, 40:9 (2010),  828–829
52. Показатель преломления монокристаллов моноизотонных ²⁸Si, ²⁹Si и ³⁰Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне
    
    Квантовая электроника, 40:9 (2010),  753–755
53. Оптические свойства висмутовых активных центров в волоконных световодах из плавленого кварца без дополнительных легирующих добавок
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  639–641
54. Дисперсионные и волноводные характеристики микроструктурированных световодов из температурного стекла 68TeO₂-22WO₃-8La₂O₃-2Bi₂O₃ для генерации суперконтинуума
    
    Квантовая электроника, 40:6 (2010),  513–518
55. О природе Bi-центров в стекле, излучающих в ближней ИК области спектра
    
    Квантовая электроника, 40:4 (2010),  283–285
56. Люминесцентные свойства висмутовых центров в алюмосиликатных световодах
    
    Квантовая электроника, 40:2 (2010),  153–159
57. Волоконная оптика: сорок лет спустя
    
    Квантовая электроника, 40:1 (2010),  1–6
58. Висмутовый волоконный усилитель для диапазона длин волн 1300 — 1340 нм
    
    Квантовая электроника, 39:12 (2009),  1099–1101
59. Генерация пикосекундных импульсов в висмутовом волоконном лазере в режиме пассивной синхронизации мод
    
    Квантовая электроника, 39:10 (2009),  882–886
60. Оптические свойства световодов с сердцевиной из фосфороалюмосиликатного стекла
    
    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  857–862
61. "Телекоммуникационные" световоды, активированные висмутом, для лазеров и усилителей в области 1400 — 1500 нм
    
    Квантовая электроника, 39:6 (2009),  583–584
62. Висмутовые волоконные лазеры, генерирующие в диапазоне 1470 — 1550 нм
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  299–301
63. Одномодовый микроструктурированный световод для среднего ИК диапазона с большой площадью поля моды
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  283–286
64. Дисперсионные и энергетические характеристики HE_1m-мод двухслойных волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 39:2 (2009),  197–200
65. Импульсный волоконный висмутовый лазер с внутрирезонаторной компенсацией дисперсии групповых скоростей
    
    Квантовая электроника, 39:1 (2009),  21–24
66. Фото- и термоиндуцированные реакции с участием водорода в волоконных световодах с высокой концентрацией германия в сердцевине
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1147–1154
67. Соединение одномодовых ИК световодов видимым излучением в фотополимеризующейся композиции
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1142–1146
68. Висмутовые волоконные лазеры и усилители, работающие в области 1.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:7 (2008),  615–617
69. Распространение оптического разряда по волоконным световодам в условиях интерференции мод
    
    Квантовая электроника, 38:5 (2008),  441–444
70. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  857–862
71. Эрбиевый волоконный лазер ультракоротких импульсов с использованием насыщающегося поглотителя на основе одностенных углеродных нанотрубок, синтезированных методом дугового разряда
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  847–852
72. Фотоиндуцированное поглощение и наведение показателя преломления в фосфоросиликатных световодах под действием излучения c λ = 193 нм
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  388–392
73. Одномодовый микроструктурированный световод для среднего инфракрасного диапазона
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  385–387
74. Одномодовые кристаллические волоконные световоды для длины волны λ = 10.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  383–384
75. Передача энергии по волоконным световодам
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  379–382
76. Самосинхронизация мод в эрбиевых волоконных лазерах с насыщающимися поглотителями в виде полимерных плёнок, содержащих синтезированные методом дугового разряда одностенные углеродные нанотрубки
    
    Квантовая электроника, 37:3 (2007),  205–208
77. А. М. Прохоров и квантовая электроника
    
    УФН, 177:6 (2007),  677–684
78. Детонационно-подобный режим разрушения волоконных световодов под действием интенсивного лазерного излучения
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:2 (2006),  84–88
79. Исследование процессов передачи энергии в кристаллах гадолиний-галлиевого граната, активированных ионами Yb³⁺ и Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  702–712
80. Непрерывная лазерная генерация на кристаллах GGG:Yb³⁺ при накачке на длине волны 0.925 мкм
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  587–590
81. Разработка и исследование брэгговских световодов с большим размером поля моды и малыми оптическими потерями
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  581–586
82. Исследование индикатрисы рассеяния излучения в световодах с высокой концентрацией оксида германия
    
    Квантовая электроника, 36:5 (2006),  464–469
83. Иттербиевый волоконный лазер на основе световода с сердцевиной из высококонцентрированного Yb³⁺-стекла
    
    Квантовая электроника, 36:3 (2006),  189–191
84. Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO₂ под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм)
    
    Квантовая электроника, 36:2 (2006),  145–148
85. Численное моделирование фотонно-кристаллических световодов из теллуритно-вольфраматного стекла для применения в параметрических волоконных устройствах
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  67–72
86. Модификация полей оболочечных мод при растворении Н₂ в волоконных световодах и ее влияние на спектральные характеристики длиннопериодных решеток
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  61–66
87. Новый лазерный переход в кристалле RbPb₂Cl₅:Pr³⁺ в диапазоне длин волн 2.3 – 2.5 мкм
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  41–44
88. Волоконные решетки показателя преломления и их применения
    
    Квантовая электроника, 35:12 (2005),  1085–1103
89. Непрерывный висмутовый волоконный лазер
    
    Квантовая электроника, 35:12 (2005),  1083–1084
90. Распределение излучения накачки в лазерных волоконных световодах с многоэлементной первой оболочкой
    
    Квантовая электроника, 35:11 (2005),  996–1002
91. Четырехволновое смешение в двухслойных микроструктурированных световодах
    
    Квантовая электроника, 35:8 (2005),  715–719
92. Одномодовый тулиевый волоконный лазер мощностью 7 Вт с накачкой на длине волны 1230 нм
    
    Квантовая электроника, 35:7 (2005),  586–590
93. Усилительные свойства активных световодов с высокой концентрацией ионов эрбия
    
    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  559–562
94. Волоконные ВКР-лазеры на световоде с высоким содержанием оксида германия в сердцевине
    
    Квантовая электроника, 35:5 (2005),  435–441
95. Волоконный иттербиевый лазер с отражателем на основе брэгговской решетки, записанной в многомодовом световоде
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  339–340
96. Влияние спектрального уширения промежуточной стоксовой компоненты на эффективность работы двухкаскадного ВКР-конвертера
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  335–338
97. Волоконные Yb-, Er–Yb- и Nd-лазеры на световодах с многоэлементной первой оболочкой
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  328–334
98. Ускоренная диффузия молекулярного водорода в германосиликатных световодах, насыщенных при высоком давлении
    
    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  278–284
99. Оптический разряд в волоконных световодах
    
    УФН, 175:1 (2005),  100–103
100. Электрострикционный временной сдвиг лазерных импульсов в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 34:11 (2004),  1047–1053
101. Непрерывные волоконные лазеры средней мощности
     
     Квантовая электроника, 34:10 (2004),  881–900
102. Генерационные параметры иттербиевых волоконных световодов, легированных P₂O₅ и Al₂O₃
     
     Квантовая электроника, 34:9 (2004),  843–848
103. Волоконные ВКР-лазеры с длиной волны генерации более 2 мкм
     
     Квантовая электроника, 34:8 (2004),  695–697
104. Влияние нагрева на оптические свойства легированных ионами Yb³⁺ волоконных световодов и лазеров на их основе
     
     Квантовая электроника, 34:6 (2004),  579–582
105. Широкополосный источник излучения на основе иттербиевого волоконного световода с распределенной по длине накачкой
     
     Квантовая электроника, 34:3 (2004),  247–248
106. Оптические потери в одномодовых и многомодовых световодах с высокой концентрацией GeO₂ и P₂O₅
     
     Квантовая электроника, 34:3 (2004),  241–246
107. Двухчастотный волоконный ВКР-лазер
     
     Квантовая электроника, 34:3 (2004),  213–215
108. Эффект катастрофического разрушения в микроструктурированном световоде
     
     Квантовая электроника, 34:1 (2004),  59–61
109. Волоконные лазеры
     
     УФН, 174:10 (2004),  1139–1142
110. Эффективный неодимовый одномодовый волоконный лазер, работающий в области 0.9 мкм
     
     Квантовая электроника, 33:12 (2003),  1035–1037
111. Запись брэгговских решёток в одномодовых волоконных световодах с помощью УФ фемтосекундного излучения
     
     Квантовая электроника, 33:8 (2003),  728–730
112. Исследование локальных характеристик волоконных брэгговских решеток методом оптической пространственной рефлектометрии
     
     Квантовая электроника, 33:8 (2003),  704–710
113. Механизмы оптических потерь в световодах с высокой концентрацией оксида германия
     
     Квантовая электроника, 33:7 (2003),  633–638
114. Фоточувствительность германосиликатных световодов и заготовок, легированных неоднородно по сечению азотом
     
     Квантовая электроника, 33:3 (2003),  275–280
115. Спектрально-люминесцентные свойства сильнолегированных хромом монокристаллов форстерита. II. Люминесценция
     
     Квантовая электроника, 33:3 (2003),  197–200
116. Спектрально-люминесцентные свойства сильнолегированных хромом монокристаллов форстерита. I. Спектры поглощения
     
     Квантовая электроника, 33:3 (2003),  192–196
117. Возбуждение звуковых волн при распространении лазерных импульсов в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 32:9 (2002),  765–775
118. Волоконный ВКР-усилитель на длину волны 1.65 мкм
     
     Квантовая электроника, 32:8 (2002),  747–750
119. Волноводные характеристики одномодовых микроструктурных волоконных световодов со сложным распределением профиля показателя преломления
     
     Квантовая электроника, 32:7 (2002),  641–644
120. Катастрофическое разрушение волоконных световодов различного состава под действием лазерного излучения
     
     Квантовая электроника, 32:6 (2002),  476–478
121. О возможности компенсации материальной дисперсии в трехслойных волоконных световодах в области λ < 1.3 мкм
     
     Квантовая электроника, 32:5 (2002),  425–427
122. Особенности проявления фоточувствительности в фосфоросиликатных световодах с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 32:2 (2002),  124–128
123. Запись длиннопериодной решетки в волоконном световоде с помощью излучения второй гармоники фемтосекундного лазера на Ti:сапфире
     
     Квантовая электроника, 31:11 (2001),  999–1002
124. Абсорбционные и люминесцентные свойства волоконных световодов на основе кварцевого стекла, содержащего Cr⁴⁺
     
     Квантовая электроника, 31:11 (2001),  996–998
125. Генерация суперконтинуума в волоконных структурах под действием непрерывной последовательности УКИ
     
     Квантовая электроника, 31:10 (2001),  877–882
126. Мощный эрбиевый волоконный усилитель с накачкой от рамановского волоконного конвертера на основе фосфоросиликатного световода
     
     Квантовая электроника, 31:9 (2001),  801–803
127. Одномодовый волоконный световод с дополнительным кольцевым световодом для двухканальной связи и специальных применений
     
     Квантовая электроника, 31:8 (2001),  733–739
128. Волоконный лазер с внутрирезонаторным поляризатором на основе волоконной решетки с большим периодом
     
     Квантовая электроника, 31:5 (2001),  421–423
129. Люминесценция Ti³⁺ в кварцевом стекле
     
     Квантовая электроника, 31:2 (2001),  187–188
130. Простая аналитическая модель непрерывного многокаскадного ВКР-лазера на волоконном световоде
     
     Квантовая электроника, 30:10 (2000),  873–877
131. Фоторефрактивный эффект и фотоиндуцированная квадратичная нелинейная восприимчивость в германосиликатных световодах, приготовленных в атмосферах азота и гелия методом МCVD
     
     Квантовая электроника, 30:9 (2000),  815–820
132. Мощные волоконные ВКР-лазеры в диапазоне 1.22 — 1.34 мкм
     
     Квантовая электроника, 30:9 (2000),  791–793
133. На пороге Тера-эры
     
     Квантовая электроника, 30:8 (2000),  659–663
134. О предельных интенсивностях света в кварцевых волоконных световодах. ВКР как основной тепловой источник оптических разрушений
     
     Квантовая электроника, 30:6 (2000),  559–564
135. Люминесценция пленок Cr⁴⁺:Ca₂GeO₄ в ближней ИК области спектра
     
     Квантовая электроника, 30:3 (2000),  261–262
136. Непрерывный высокоэффективный ВКР-лазер (λ = 1.24 мкм) на фосфосиликатном световоде
     
     Квантовая электроника, 29:2 (1999),  97–100
137. Высокоэффективный волоконный лазер с накачкой в оболочку на основе иттербиевого световода и волоконной брэгговской решетки
     
     Квантовая электроника, 27:3 (1999),  239–240
138. Свойства оболочечных мод волоконного световода, возбуждаемых решетками показателя преломления
     
     Квантовая электроника, 26:1 (1999),  65–68
139. О возможности создания волоконного УФ лазера на световоде из кварцевого стекла, легированного азотом
     
     Квантовая электроника, 25:4 (1998),  348–350
140. Фотоиндуцированные изменения спектров комбинационного рассеяния в световодах на основе германосиликатных стекол
     
     Квантовая электроника, 25:4 (1998),  341–344
141. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией
     
     Квантовая электроника, 25:4 (1998),  305–307
142. Эффективная запись решетки χ⁽²⁾ в германосиликатном световоде, содержащем азот
     
     Квантовая электроника, 25:3 (1998),  262–264
143. Рост и люминесценция эпитаксиальных пленок Yb_0.3Er_xGd_2.7–xGa₅O₁₂
     
     Квантовая электроника, 25:3 (1998),  233–235
144. Влияние УФ облучения и обработки высоким давлением на спектры УФ поглощения и комбинационного рассеяния германосиликатного стекла
     
     Квантовая электроника, 25:2 (1998),  103–104
145. Волоконно-оптический ВКР-усилитель сигнала на длине волны 1.3 мкм, накачиваемый лазером на кристалле форстерита с ионами Сr⁴⁺
     
     Квантовая электроника, 24:11 (1997),  1024–1026
146. Динамика наведения показателя преломления при облучении германосиликатных световодов различными типами УФ излучений
     
     Квантовая электроника, 24:9 (1997),  805–808
147. Непрерывный лазер на Cr⁴⁺:Mg₂SiO₄ с накачкой излучением неодимового волоконного лазера
     
     Квантовая электроника, 24:9 (1997),  771–772
148. Модель дефекта — источника красной люминесценции — при записи решеток показателя преломления в волоконных световодах на основе германосиликатного стекла
     
     Квантовая электроника, 24:7 (1997),  617–621
149. Запись решеток показателя преломления в германосиликатных световодах излучением ближнего УФ диапазона
     
     Квантовая электроника, 24:2 (1997),  160–162
150. Фотоиндуцированные внутриволоконные решетки показателя преломления для связи мод сердцевина – оболочка
     
     Квантовая электроника, 24:2 (1997),  151–154
151. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами
     
     Квантовая электроника, 24:2 (1997),  123–126
152. Мощный неодимовый одномодовый волоконный лазер
     
     Квантовая электроника, 24:1 (1997),  3–4
153. Синтез нанокомпозита SiO$_2$:Cu$^0_n$ методом лазерной дистилляции
     
     Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1105–1110
154. Методы сглаживания спектра усиления эрбиевых волоконных усилителей
     
     Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1059–1064
155. Роль кислородных вакансий в механизме записи УФ излучением решеток показателя преломления в световодах и фотоиндуцированные структурные превращения в кварцевом стекле
     
     Квантовая электроника, 23:11 (1996),  1013–1019
156. Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью
     
     Квантовая электроника, 23:8 (1996),  701–703
157. Роль излучения третьей и четвертой гармоник при формировании χ⁽²⁾-решетки в Ge — Er-световодах на основе плавленого кварца
     
     Квантовая электроника, 23:7 (1996),  652–656
158. Повышение фоточувствительности германо-силикатного стекла в ближней УФ области после насыщения водородом
     
     Квантовая электроника, 23:6 (1996),  565–566
159. Некольцевой лазер бегущей волны
     
     Квантовая электроника, 23:1 (1996),  39–40
160. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K
     
     Квантовая электроника, 22:8 (1995),  756–758
161. ВКР-усилитель сигналов в районе длин волн 1.3 мкм с усилением 30 дБ на основе высокоапертурных световодов с низкими потерями
     
     Квантовая электроника, 22:7 (1995),  643–644
162. Фотоиндуцированная генерация второй гармоники в центросимметричных средах
     
     Квантовая электроника, 22:5 (1995),  419–432
163. Одномодовый волоконный световод из халькогенидных стекол системы As — S
     
     Квантовая электроника, 22:3 (1995),  287–288
164. Возможность применения волноводных голограмм в системах передачи амплитудно-фазовой информации по волоконным линиям связи
     
     Квантовая электроника, 22:2 (1995),  169–172
165. Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
     
     Квантовая электроника, 21:10 (1994),  921–924
166. Волоконно-оптический ВКР-усилитель сигналов на длине волны 1.3 мкм
     
     Квантовая электроника, 21:9 (1994),  807–809
167. Динамические решетки квадратичной нелинейной восприимчивости в стеклах с полупроводниковыми микрокристаллитами, обусловленные когерентным фотогальваническим эффектом
     
     Квантовая электроника, 21:7 (1994),  685–688
168. Двухслойные халькогенидные волоконные световоды с оптическими потерями менее 30 дБ/км
     
     Квантовая электроника, 20:2 (1993),  109–110
169. Термостойкие световоды в герметичном алюминиевом покрытии
     
     Письма в ЖТФ, 18:21 (1992),  24–28
170. Новый способ определения параметров канального волновода
     
     Квантовая электроника, 19:2 (1992),  185–187
171. Пикосекундный лазер на Cr–Yb–Er-стекле с активной синхронизацией мод
     
     Квантовая электроника, 19:2 (1992),  140–142
172. Электродиффузионные методы создания Cs$^{+}$-волноводных структур в стекле
     
     ЖТФ, 61:6 (1991),  93–99
173. Стационарный лазерный факел на кварцевом стекле
     
     ЖТФ, 61:5 (1991),  90–96
174. Материальное двулучепреломление анизотропных световодов с эллиптической внешней оболочкой
     
     ЖТФ, 61:3 (1991),  88–93
175. Планарный акусто-оптический модулятор на основе Rb : КТР волновода
     
     Письма в ЖТФ, 17:15 (1991),  76–80
176. Применение СВЧ-разряда атмосферного давления для получения световодов с отражающей оболочкой из фтор-силикатного стекла
     
     Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  80–84
177. Возбуждение акустических поверхностных волн в Rb : КТР
     
     Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  62–65
178. Волоконный интерферометр Майкельсона с компенсацией потерь
     
     Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1137–1139
179. Нелинейная перекачка света в связанных Rb:КТР-волноводах
     
     Квантовая электроника, 18:8 (1991),  983–984
180. Определение порога оптического разрушения Rb:КТР-волноводов
     
     Квантовая электроника, 18:6 (1991),  713–714
181. Объемные фазовые дифракционные решетки в кристалле КТР
     
     Квантовая электроника, 18:3 (1991),  396–398
182. Исследование спектральных зависимостей некоторых поляризационных характеристик световодов с эллиптической напрягающей оболочкой и круглой сердцевиной
     
     Квантовая электроника, 18:1 (1991),  134–138
183. Численное моделирование вакансии кремния в кварцевом стекле
     
     Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2791–2799
184. Пропускание полых металлических волноводов среднего ИК диапазона
     
     ЖТФ, 60:3 (1990),  196–198
185. Сверхсжатие импульсов в лазере с нелинейным резонатором
     
     Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  81–85
186. Двумерная матрица оптических волноводов в кристалле КТР
     
     Письма в ЖТФ, 16:22 (1990),  48–51
187. Усиление и компрессия фемтосекундных оптических солитонов в активных волокнах
     
     Письма в ЖТФ, 16:18 (1990),  67–71
188. Оценка оптической стойкости канальных Rb: КТР-волноводов
     
     Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  22–25
189. Пассивная синхронизация мод в лазере с невзаимным нелинейным петлевым отражателем
     
     Письма в ЖТФ, 16:11 (1990),  84–88
190. Оптический аналого-цифровой преобразователь на основе структуры МДП-ЖК
     
     Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  26–30
191. Волоконный интерферометр Майкельсона с разностью плеч 50 км
     
     Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1593–1596
192. Обработка сигналов волоконного интерферометра с использованием голографической фильтрации
     
     Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1490–1493
193. Обнаружение оптической анизотропии КТР:Rb-волноводов
     
     Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1369–1370
194. Анизотропные световоды с эллиптической напрягающей оболочкой и круглой сердцевиной
     
     Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1363–1368
195. Усиление фемтосекундных импульсов в одномодовых волоконных световодах, легированных ионами Er³⁺
     
     Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1070–1071
196. Механизм возникновения эффективной фотоиндуцированной ГВГ в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 17:7 (1990),  926–927
197. Новый метод получения волоконных световодов, легированных редкоземельными элементами
     
     Квантовая электроника, 17:7 (1990),  813–814
198. Нелинейный волоконный отражатель для пассивной синхронизации мод
     
     Квантовая электроника, 17:6 (1990),  733–735
199. Волоконно-оптические интерферометры: контроль спектрального состава излучения и формирование интенсивных оптических импульсов
     
     Квантовая электроника, 17:5 (1990),  621–626
200. Оценка оптической стойкости диффузионных планарных Rb:KTP волноводов
     
     Квантовая электроника, 17:4 (1990),  494–495
201. ОВФ излучения XeCl-лазера в многомодовом волоконном световоде
     
     Квантовая электроника, 17:3 (1990),  338–339
202. Одномодовые волоконные световоды со смещенной в область 1,55 мкм длиной волны нулевой хроматической дисперсии
     
     Квантовая электроника, 17:3 (1990),  266–267
203. Поляризационные характеристики анизотропных одномодовых световодов
     
     Квантовая электроника, 17:1 (1990),  84–86
204. Самопереключение излучения в двужильном волоконном световоде с разведенными жилами на концах
     
     Докл. АН СССР, 309:3 (1989),  611–614
205. Волоконно-оптические интерферометры для фазовых датчиков
     
     ЖТФ, 59:11 (1989),  141–143
206. Полихроматическая реализация операции цифрового умножения
     
     ЖТФ, 59:5 (1989),  121–124
207. Фотоиндуцированная генерация второй гармоники в $\gamma$-облученных волоконных световодах
     
     Письма в ЖТФ, 15:23 (1989),  78–81
208. Полые металлические волноводы для передачи лазерного излучения среднего ИК-диапазона
     
     Письма в ЖТФ, 15:21 (1989),  87–91
209. Возбуждение мощных импульсов в волоконном кольцевом интерферометре
     
     Письма в ЖТФ, 15:19 (1989),  48–52
210. Оптическая реализация операции арифметического сложения на основе метода символьной подстановки
     
     Письма в ЖТФ, 15:19 (1989),  5–9
211. Синхронизация мод пассивного кольцевого волоконного интерферометра
     
     Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  28–33
212. Цельноволоконный датчик угловой скорости вращения
     
     Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  85–88
213. Интегрально-оптический модулятор бегущей волны с шириной полосы рабочих частот 4 ГГц
     
     Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2319–2322
214. Модуляция фазы и поляризации мод в маломодовом волоконном световоде при аксиальных деформациях
     
     Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2301–2304
215. Интегрально-оптический спектроанализатор на основе Ti:LiNbO₃ с оптимизированной системой встречно-штыревых преобразователей и сферическими геодезическими линзами
     
     Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1754–1756
216. Возможности подавления стационарного и переходного ВРМБ
     
     Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1632–1635
217. Влияние дисперсионных и нелинейных эффектов высших порядков на взаимодействие фемтосекундных солитонов в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1456–1459
218. Двухкаскадные волоконно-оптические схемы дисперсионного и солитонного сжатия сверхкоротких импульсов света
     
     Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1453–1456
219. К вопросу о фотоиндуцированной ГВГ в оптических волокнах
     
     Квантовая электроника, 16:5 (1989),  887–888
220. Автогетеродинный метод неразрушающего измерения числа фотонов
     
     Квантовая электроника, 16:4 (1989),  864–868
221. Анизотропия термоупругих напряжений в двухканальных одномодовых световодах
     
     Квантовая электроника, 16:4 (1989),  860–864
222. Статистический анализ параметров ВРМБ при генерации из спонтанного шума
     
     Квантовая электроника, 16:4 (1989),  778–784
223. Влияние поперечной гиперзвуковой неоднородности на спектр излучения ВРМБ в одномодовых волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 16:4 (1989),  752–756
224. Сужение линии инжекционного лазера резонансным рэлеевским рассеянием из волоконного кольцевого интерферометра
     
     Квантовая электроника, 16:4 (1989),  733–736
225. О ВКР-самовоздействии лазерных импульсов
     
     Квантовая электроника, 16:3 (1989),  592–594
226. О связи частотной девиации полупроводниковых лазеров при прямой модуляции с дифференциальными электрическими характеристиками инжектирующего p-n-перехода
     
     Квантовая электроника, 16:3 (1989),  481–483
227. Электродиффузия ионов Cs⁺ в стекло из расплава CsNO₃
     
     Квантовая электроника, 16:2 (1989),  344–346
228. Эффективное сжатие высокоэнергетичных лазерных импульсов в волоконно-решеточных компрессорах
     
     Квантовая электроника, 16:2 (1989),  298–300
229. Синхронизация компонент ВРМБ в лазере со световодным резонатором
     
     Квантовая электроника, 16:1 (1989),  5–6
230. Оптическая реализация логических функций на основе структуры МДП$-$ЖК
     
     ЖТФ, 58:12 (1988),  2386–2390
231. Физическое поведение зоны перетяжки «заготовка–световод» при различных тепловых режимах вытяжки
     
     ЖТФ, 58:2 (1988),  363–370
232. Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором
     
     Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132
233. Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором
     
     Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120
234. Оптическая реализация арифметических операций в троичной системе счисления
     
     Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1690–1694
235. Кристаллические ИК-световоды из КРС-13 с отражающей оболочкой
     
     Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1667–1670
236. Прохождение импульсно-периодического излучения XeCl-лазера через кварцевый световод
     
     Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1444–1448
237. Спектрально-селективное преобразование мод на неоднородностях волоконных световодов
     
     Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1156–1160
238. Оптическое вычитание изображений на основе структуры МДП$-$ЖК
     
     Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1104–1108
239. Фемтосекундная структура излучения ВКР в одномодовом волоконном световоде: возможность существования «темных» солитонов
     
     Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  1010–1014
240. Высокопрочные световоды в герметичном покрытии
     
     Письма в ЖТФ, 14:9 (1988),  769–773
241. Численное моделирование физических эффектов при перетяжке стеклообразного вещества в тонкую нить
     
     Прикл. мех. техн. физ., 29:6 (1988),  153–156
242. Влияние длины когерентности лазера на шумовые характеристики ВОЛС с частотной модуляцией
     
     Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2158–2160
243. Сжатие лазерных импульсов, основанное на эффекте фазовой кросс-модуляции в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 15:10 (1988),  1941–1943
244. Распространение излучения в двух одинаковых связанных волноводах
     
     Квантовая электроника, 15:7 (1988),  1433–1441
245. Спектральные свойства сплавных одномодовых ответвителей
     
     Квантовая электроника, 15:6 (1988),  1282–1286
246. Цельноволоконный дисперсионный отражатель для селекции мод полупроводникового лазера
     
     Квантовая электроника, 15:5 (1988),  1083–1085
247. Прохождение интенсивного излучения эксимерных лазеров через кварцевый световод
     
     Квантовая электроника, 15:5 (1988),  1067–1074
248. Обратная связь в устройствах на основе оптически управляемого пространственного модулятора
     
     Квантовая электроника, 15:4 (1988),  805–810
249. Морозостойкий волоконно-оптический кабель
     
     Квантовая электроника, 15:1 (1988),  232–235
250. Нелинейная волоконная оптика
     
     Квантовая электроника, 15:1 (1988),  5–29
251. Теплофизические процессы при вытяжке кварцевых световодов
     
     ТВТ, 26:2 (1988),  370–378
252. Динамика тепловых процессов при вытяжке кварцевых волоконных световодов
     
     ЖТФ, 57:8 (1987),  1562–1569
253. Связь временно́го масштаба амплитудной модуляции «бегущего» ВРМБ со спектром его излучения
     
     ЖТФ, 57:8 (1987),  1556–1561
254. Динамическая модель вытяжки кварцевых волоконных световодов
     
     ЖТФ, 57:7 (1987),  1336–1343
255. Некоторые особенности ВКР в анизотропном одномодовом световоде
     
     ЖТФ, 57:4 (1987),  788–790
256. Лучевая прочность поликристаллических световодов из КРС-5 в импульсном режиме
     
     ЖТФ, 57:3 (1987),  531–534
257. Экспериментальное обнаружение микропор в поликристаллических световодах
     
     Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  865–869
258. Исследование перестроечных характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров с высоким спектральным разрешением
     
     Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  718–723
259. Гистерезисные явления в перестроечных характеристиках полупроводниковых лазеров с высокодобротным внешним резонатором
     
     Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  677–682
260. Механизм объемного рассеяния на микропорах в световодах, получаемых пластической деформацией кристаллов
     
     Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  543–549
261. Прямое измерение длительности стоксовых компонент ВКР в одномодовом волоконном световоде при 150 пс лазерной накачке
     
     Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  365–368
262. Низкотемпературные фотоиндуцированные изменения оптических потерь в волоконных световодах на основе халькогенидных стекол
     
     Письма в ЖТФ, 13:1 (1987),  35–38
263. ВКР-генерация импульсов длительностью 100–200 фс в одномодовом волоконном световоде в области длин волн 1,5–1,7 мкм
     
     Квантовая электроника, 14:10 (1987),  2053–2055
264. Одномодовые волоконные световоды с потерями менее 1 дБ/км
     
     Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1309–1310
265. Широкополосные многомодовые градиентные волоконные световоды
     
     Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1152–1154
266. Интегрально-оптический поляризатор на основе заглубленного волновода в стекле
     
     Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1151–1152
267. Экспериментальное наблюдение самопереключения излучения в туннельно-связанных оптических волноводах
     
     Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1144–1147
268. Дисперсионные характеристики первых высших мод в одномодовых световодах с эллиптической сердцевиной
     
     Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1128–1134
269. Исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с помощью волоконного интерферометра Майкельсона
     
     Квантовая электроника, 14:4 (1987),  871–874
270. Оптический эффект Керра в стеклянных волоконных световодах со слабым и сильным двулучепреломлением
     
     Квантовая электроника, 14:4 (1987),  822–826
271. Получение высококонтрастных субпикосекундных импульсов однокаскадным 110-кратным сжатием импульсов ИАГ:Nd^{3 +}-лазера
     
     Квантовая электроника, 14:4 (1987),  662–663
272. Многоканальные анизотропные одномодовые волоконные световоды для волоконно-оптических датчиков
     
     Квантовая электроника, 14:3 (1987),  609–611
273. Исследование оптических упругих свойств фторидного стекла методом МБР
     
     Квантовая электроника, 14:2 (1987),  377–378
274. Самовоздействие фемтосекундных оптических волновых пакетов
     
     Докл. АН СССР, 288:4 (1986),  851–856
275. Равномерность лазерного нагрева кварцевой заготовки при вытяжке световодов
     
     ЖТФ, 56:12 (1986),  2413–2415
276. Деполяризация излучения в нерегулярных одномодовых световодах
     
     ЖТФ, 56:6 (1986),  1227–1229
277. Сегментация изображений на однотипные области методом цветового кодирования
     
     Письма в ЖТФ, 12:22 (1986),  1373–1377
278. Простой датчик – измеритель узких линий генерации одночастотных лазеров
     
     Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1316–1320
279. Оптимальное сжатие многосолитонных импульсов в волоконных световодах
     
     Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  756–760
280. Спектральная фильтрация многосолитонных импульсов
     
     Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  752–755
281. Поляризационные свойства одномодового трехслойного световода кольцевого типа
     
     Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  457–461
282. Влияние частотной модуляции на взаимодействие импульсов в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1740–1743
283. Доплеровские измерители скорости дифференциального типа с одномодовыми световодами
     
     Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1733–1736
284. Измерение хроматической дисперсии в одномодовых волоконных световодах интерференционным методом
     
     Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1680–1682
285. Инфракрасные поликристаллические световоды на основе галогенидов серебра
     
     Квантовая электроника, 13:3 (1986),  601–605
286. Спектральная ширина параметрического усиления в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 13:3 (1986),  589–592
287. Влияние конечного времени релаксации гиперзвуковой волны на динамику формирования импульсов ВРМБ в одномодовых волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 13:2 (1986),  397–404
288. Экспериментальное исследование перекрестных помех в двухканальных волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 13:2 (1986),  363–367
289. Влияние оптических потерь на динамику нелинейного распространения импульсов в одномодовых волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 13:2 (1986),  331–337
290. Сравнение различных методов измерения параметров эквивалентного ступенчатого профиля одномодовых волоконных световодов
     
     Квантовая электроника, 13:1 (1986),  11–14
291. Лазеры и волоконная оптика
     
     УФН, 148:2 (1986),  289–311
292. Нелинейная динамика усиления солитонов при ВКР в волоконно-оптических линиях связи
     
     Докл. АН СССР, 283:6 (1985),  1342–1346
293. Эффекты вынужденного рассеяния и самовоздействия сверхкоротких импульсов в волоконных световодах
     
     Письма в ЖТФ, 11:17 (1985),  1030–1034
294. Временная зависимость оптических потерь ИК-волоконных световодов на основе халькогенидных стекол
     
     Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  850–853
295. Экспериментальный волоконно-оптический кабель для передачи мощного излучения $CO$- и $CO_2$-лазеров
     
     Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  757–760
296. Лазерная обработка поверхности заготовки в процессе вытяжки кварцевых световодов
     
     Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  473–477
297. Датчик вращения на основе деполяризующего одномодового световода
     
     Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  321–325
298. Двуслойные монокристаллические волоконные световоды
     
     Квантовая электроника, 12:12 (1985),  2488–2489
299. Коагуляция и деструкция биотканей излучением СО-лазера с волоконно-оптическим кабелем
     
     Квантовая электроника, 12:12 (1985),  2476–2479
300. Нелинейная перекачка света в туннельно-связанных оптических волноводах
     
     Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2312–2316
301. Влияние ширины спектра излучения на поляризационные характеристики одномодовых волоконных световодов
     
     Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2226–2229
302. Влияние полимерной отражающей оболочки на оптические потери световодов из халькогенидных стекол
     
     Квантовая электроника, 12:10 (1985),  2167–2169
303. Морозостойкие волоконно-оптические модули
     
     Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1951–1954
304. Направленные ответвители с малыми потерями на одномодовых волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1873–1880
305. Исследование параметров заготовки и волоконных световодов при автоматическом контроле диаметра опорной трубки
     
     Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1276–1278
306. Изгибные потери в одномодовых волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1076–1078
307. Влияние первичных полимерных покрытий на оптические потери световодов при низких температурах
     
     Квантовая электроника, 12:4 (1985),  839–841
308. Антистоксово рассеяние света в стеклянных волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 12:4 (1985),  799–802
309. Волоконный световод с оболочкой, легированной фтором, и сердцевиной из чистого кварцевого стекла
     
     Квантовая электроника, 12:3 (1985),  634–636
310. Динамическая оперативная память на волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 12:1 (1985),  214–216
311. Применение ИК волоконных световодов для систем термоконтроля
     
     Письма в ЖТФ, 10:12 (1984),  739–741
312. Прямые измерения дисперсии одномодовых волоконных световодов в области 1.15$-$1.4 мкм
     
     Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  518–522
313. Применение волоконных световодов в диагностике мощных ударных волн
     
     Письма в ЖТФ, 10:1 (1984),  55–60
314. Влияние лазерного излучения на спектры наведенного поглощения волоконных световодов на основе чистого кварцевого стекла
     
     Квантовая электроника, 11:12 (1984),  2480–2486
315. Кольцевой гранатовый лазер со световодным резонатором
     
     Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1509–1511
316. Влияние длины когерентности излучения на фазовые шумы в волоконно-оптическом датчике вращения
     
     Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1469–1471
317. Влияние воды на прочность волоконных световодов
     
     Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1467–1469
318. Волоконные световоды с устойчивой поляризацией излучения
     
     Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1273–1275
319. Эффективное сжатие пикосекундных импульсов излучения АИГ:Nd³⁺-лазера
     
     Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1078–1080
320. Градиентный волоконный световод с предельно малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 11:4 (1984),  646–647
321. Двухканальный волоконный световод с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 11:1 (1984),  73–76
322. Поликристаллические световоды с потерями 0,35 дБ/м на длине волны 10,6 мкм
     
     Квантовая электроника, 11:1 (1984),  5–6
323. Нелинейные оптические явления в волоконных световодах
     
     УФН, 143:3 (1984),  483–484
324. Перспективы генерации солитонов в волоконных световодах среднего ИК диапазона
     
     Докл. АН СССР, 273:5 (1983),  1112–1116
325. Высокочувствительный волоконно-оптический датчик вращения
     
     Докл. АН СССР, 269:2 (1983),  334–336
326. Перестройка частоты излучения четырехфотонного смешения в двулучепреломляющем волоконном световоде
     
     Письма в ЖТФ, 9:23 (1983),  1455–1459
327. Волоконно-оптическая линия связи с многомодовыми световодами для передачи информации на расстояние до 8 км
     
     Квантовая электроника, 10:12 (1983),  2487–2490
328. Ввод оптического излучения в световоды эллиптического сечения
     
     Квантовая электроника, 10:12 (1983),  2433–2443
329. Волоконные световоды среднего инфракрасного диапазона на основе As–S и As–Se с оптическими потерями менее 1 дб/м
     
     Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1906–1907
330. Некоторые особенности поляризационных свойств одномодовых световодов W-типа
     
     Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1598–1602
331. Вынужденное четырехфотонное смешение в стеклянных волоконных световодах в области спектра 0,4–1,8 мкм
     
     Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1056–1059
332. Радиационно-оптические свойства волоконных световодов на основе кварцевого стекла (обзор)
     
     Квантовая электроника, 10:3 (1983),  473–496
333. Спектральное уплотнение каналов в волоконно-оптических линиях связи (обзор)
     
     Квантовая электроника, 10:2 (1983),  245–264
334. Параметры люминесценции в кварцевом стекле с добавкой двуокиси германия
     
     Докл. АН СССР, 264:1 (1982),  90–93
335. Оптоакустические характеристики одномодовых волоконных световодов
     
     Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2542–2544
336. Согласование одномодовых световодов с полупроводниковыми лазерами
     
     Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2197–2203
337. Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны ~ 1,3 мкм
     
     Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1698–1700
338. Высокопрочные волоконные световоды, изготовленные методом химического осаждения из газовой фазы
     
     Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1506–1509
339. Стеклообразный As₂Se₃ с оптическим поглощением 60 дБ/км
     
     Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1465–1466
340. Поляризационные свойства маломодовых стеклянных волоконных световодов с нециркулярной сердцевиной
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  810–812
341. Импульсное фотообесцвечивание волоконных световодов с сердцевиной из чистого кварцевого стекла
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  801–803
342. Оценка минимальных оптических потерь в халькогенидных стеклах
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  798–800
343. Монокристаллы галогенидов таллия с оптическими потерями менее 10 дБ/км
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  796–798
344. Инфракрасные волоконные световоды из халькогенидных стекол
     
     Квантовая электроника, 9:2 (1982),  438–440
345. Делитель спектрально-уплотненных каналов на световедущей пластинке
     
     Квантовая электроника, 9:2 (1982),  429–432
346. Экспериментальная волоконно-оптическая линия связи со спектральным уплотнением излучения светодиодов на дифракционной решетке
     
     Квантовая электроника, 9:2 (1982),  418–420
347. О поляризационных свойствах полимерных градиентных стержней
     
     Квантовая электроника, 9:2 (1982),  389–390
348. Балансный метод измерения угловых скоростей вращения с помощью волоконно-оптического интерферометра
     
     Докл. АН СССР, 261:4 (1981),  844–846
349. Потери на микроизгибах и изгибах в одномодовых двухслойных и трехслойных световодах W-типа
     
     Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2507–2510
350. Поляризационные свойства одномодовых волоконных световодов со слабым двулучепреломлением
     
     Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2473–2478
351. Особенности ВКР света в стеклянных волоконных световодах на основе SiO₂+GeO₂
     
     Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2383–2389
352. Влияние температуры и уровня оптической мощности на наведенное поглощение в стеклянных волоконных световодах на основе чистого кварцевого стекла
     
     Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1935–1944
353. Влияние γ-облучения на температурную зависимость оптических потерь волоконных световодов типа «кварцевое стекло – полимер»
     
     Квантовая электроника, 8:8 (1981),  1816–1817
354. Простой метод определения параметров одномодового волоконного световода
     
     Квантовая электроника, 8:8 (1981),  1802–1807
355. Монокристаллические волоконные световоды среднего инфракрасного диапазона
     
     Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1378–1379
356. Одномодовый волоконный световод W-типа с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1310–1312
357. Исследование механической прочности волоконных световодов для систем оптической связи
     
     Квантовая электроника, 8:4 (1981),  844–852
358. Волоконные световоды из галогенидов таллия для среднего ИК диапазона
     
     Квантовая электроника, 8:2 (1981),  398–400
359. Делитель спектрально-уплотненных каналов на плоском многомодовом волноводе
     
     Квантовая электроника, 8:2 (1981),  384–386
360. Трехслойные световоды кольцевого типа
     
     Квантовая электроника, 8:2 (1981),  347–350
361. Волоконный световод из безводного кварцевого стекла с отражающей оболочкой из силиконовой резины
     
     Квантовая электроника, 8:1 (1981),  176–178
362. О выборе параметров одномодового светоовода для получения минимальной дисперсии в области 1,55 мкм
     
     Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2656–2658
363. Морозостойкие волоконные световоды с сердцевиной на основе кварцевого стекла и оболочкой из силиконовой резины
     
     Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2207–2210
364. Синтез и исследование спектрально-люминесцентных и генерационных свойств кристаллов алюмоборатов, активированных ионами хрома и неодима
     
     Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2105–2111
365. Кристаллы галогенидов таллия с малыми оптическими потерями
     
     Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2037–2039
366. Одномодовый волоконный световод с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1823–1825
367. Применение волоконных световодов для лазерной фотографии быстрых движений магнитных доменов и доменных стенок в реальном масштабе времени
     
     Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1594–1596
368. Волоконные оптические направленные ответвители с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1578–1580
369. Материальная дисперсия и релеевское рассеяние в стеклообразной двуокиси германия-перспективном материале для волоконных световодов с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1563–1566
370. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения $CO_2$-лазера
     
     Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1345–1347
371. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения $CO$-лазера
     
     Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1342–1345
372. Об уменьшении дисперсии в оптических трехслойных волноводах
     
     Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1280–1286
373. Волоконный световод с малыми потерями, изготовленный методом аксиального осаждения
     
     Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1133–1136
374. Перспективы использования диапазона длин волн 1-1,6 мкм для осуществления волоконно-оптической связи (обзор)
     
     Квантовая электроника, 7:3 (1980),  453–464
375. Потери на микроизгибах в волоконных световодах и волоконно-оптических кабелях
     
     Квантовая электроника, 7:1 (1980),  217–219
376. Оптический грузонесущий кабель
     
     Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2657–2659
377. Многоканальный световод
     
     Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2646–2649
378. Макет волоконно-оптической линии связи со спектральным уплотнением в области 1,3 мкм
     
     Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2487–2490
379. Исследование структуры материала заготовок и волоконных световодов на основе кварцевого стекла, легированного германием и бором
     
     Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2109–2116
380. Исследование зависимости полосы пропускания многомодового волоконного световода от условий возбуждения
     
     Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1767–1770
381. Радиационно-оптическая устойчивость стеклянных волоконных световодов с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1310–1319
382. Волоконные световоды с большим диаметром сердцевины и малыми оптическими потерями
     
     Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1084–1085
383. Обратимое фотообесцвечивание наведенного поглощения в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1082–1083
384. Оптические потери в кристаллах КРС-5 и КРС-6
     
     Квантовая электроника, 6:3 (1979),  646–648
385. Исследование зависимости полных потерь в стеклянных волоконных световодах от угла ввода излучения
     
     Квантовая электроника, 6:2 (1979),  404–407
386. О передаче информации по квазиодномодовым трехслойным оптическим волноводам
     
     Квантовая электроника, 6:1 (1979),  197–203
387. Волоконно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм
     
     Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2486–2488
388. Радиационно-оптическая устойчивость стеклянных волоконных световодов с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2484–2486
389. Упругие напряжения в заготовках для стеклянных волоконных световодов
     
     Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2463–2466
390. Вытяжка стеклянных волоконных световодов с помощью CO₂-лазера
     
     Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2064–2065
391. О затухании мод в многомодовых трехслойных волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2046–2049
392. Комбинационный лазер со световодным резонатором
     
     Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1305–1309
393. Калориметрический метод определения объемного и поверхностного поглощений в материалах, прозрачных в ИК диапазоне
     
     Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1065–1071
394. Волоконно-оптический кабель с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 5:3 (1978),  700–703
395. Материальная дисперсия в стеклянных волоконных световодах на основе кварцевого стекла
     
     Квантовая электроника, 5:3 (1978),  695–698
396. Деформации резонатора лазера на неодимовом стекле, обусловленные изменением поляризуемости возбужденных ионов неодима
     
     Квантовая электроника, 5:2 (1978),  464–468
397. Макет устройства волоконно-оптической связи с тонкопленочным модулятором
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  214–216
398. Самофильтрующиеся оптические волноводы кольцевого типа
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  138–142
399. Излучательные потери в стеклянных волоконных световодах, обусловленные неоднородностью сечения световода
     
     Квантовая электроника, 4:11 (1977),  2467–2468
400. Исследование волоконно-оптических систем для связи блоков ЭВМ
     
     Квантовая электроника, 4:11 (1977),  2456–2459
401. Стеклянный волоконный световод с потерями менее 1 дБ/км
     
     Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2041–2043
402. Мандельштам-бриллюэновское и релеевское рассеяние в волоконных световодах: измерение углового распределения интенсивностей рассеяния, потерь на рассеяние и поворота плоскости поляризации
     
     Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1488–1496
403. Селективное возбуждение активаторных центров в конденсированных средах с неоднородным уширением спектральных линий
     
     Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1050–1055
404. К распространению собственных волн в многослойных оптических волноводах. III. Волноводы с отрицательной волноводной дисперсией и сильной фильтрацией высших мод
     
     Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1042–1049
405. Безгидроксильное кварцевое стекло для волоконных световодов с малыми потерями и его сравнительные радиационно-оптические свойства
     
     Квантовая электроника, 4:5 (1977),  996–1003
406. Исследование оптических потерь в стеклянных волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 4:4 (1977),  937–941
407. Лазер со световодным резонатором
     
     Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2503–2505
408. Измерение малых коэффициентов поглощения стекол калориметрическим методом
     
     Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2500–2503
409. Волоконный световод с малыми потерями с сердцевиной из SiO₂+GeO₂ и боросиликатной оболючкой
     
     Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2483–2485
410. К распространению собственных волн в многослойных оптических волноводах. II. Энергетические характеристики
     
     Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1689–1700
411. Измерение температурной зависимости коэффициента линейного расширения и температурного коэффициента показателя преломления лазерных стекол
     
     Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1151–1153
412. Стеклянный волоконный световод с распределенным по сечению показателем преломления
     
     Квантовая электроника, 3:3 (1976),  667–669
413. Коэффициенты Эйнштейна, сечения генерационного перехода и абсолютный квантовый выход люминесценции с метастабильного состояния Nd^{3+ 4}F_3/2 в лазерных стеклах и кристаллах граната
     
     Квантовая электроника, 3:1 (1976),  168–173
414. К распространению собственных волн в многослойных оптических волноводах. I. Составляющие поля и дисперсионные характеристики
     
     Квантовая электроника, 3:1 (1976),  81–93
415. Прямые измерения квантового выхода люминесценции с метастабильного состояния $^4F_{3/2}\mathrm{Nd}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
     
     Докл. АН СССР, 224:1 (1975),  64–67
416. Стеклянные волоконные световоды с малыми потерями
     
     Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2103–2105
417. Измерение сечения генерационного перехода в неодимовых стеклах
     
     Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1665–1670
418. Соотношение энергий люминесценции различных переходов с метастабильного уровня иона неодима в стеклах
     
     Квантовая электроника, 2:2 (1975),  422–423
419. Измерение вероятностей излучательных переходов из метастабильного состояния Nd³⁺ в силикатных стеклах
     
     Квантовая электроника, 2:1 (1975),  133–135
420. О квантовом выходе люминесценции с метастабильного состояния $\mathrm{Nd}^{3+}$ в силикатных стеклах и кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
     
     Докл. АН СССР, 216:2 (1974),  297–299
421. Измерение вероятностей излучательных переходов с метастабильного уровня $\mathrm{Nd}^{3+}$ в силикатном стекле и кристалле граната
     
     Докл. АН СССР, 215:6 (1974),  1341–1344
422. Повышение яркости лазеров на неодимовом стекле подбором состава матрицы активного элемента
     
     Квантовая электроника, 1973, № 4(16),  113–115
423. Изменение знака тепловой линзы стеклянных лазерных стержней при изменении термооптической постоянной стекла
     
     Докл. АН СССР, 205:3 (1972),  556–559
424. О термических искажениях резонаторов ОКГ в случае активных стержней в форме прямоугольных пластин
     
     Докл. АН СССР, 192:3 (1970),  531–533
425. Термооптические характеристики стекол, активированных неодимом
     
     Докл. АН СССР, 190:3 (1970),  558–561
426. Измерение квантового выхода люминесценции в неодимовом стекле
     
     Докл. АН СССР, 184:2 (1969),  321–323


427. Памяти Виктора Георгиевича Веселаго
     
     УФН, 189:3 (2019),  335–336
428. Митрофан Федорович Стельмах
     
     Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1179
429. Памяти Михаила Яковлевича Щелева
     
     Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1066
430. К 75-летию Сергея Николаевича Багаева
     
     Квантовая электроника, 46:10 (2016),  972
431. К 100-летию Александра Михайловича Прохорова
     
     Квантовая электроника, 46:7 (2016),  672–674
432. Памяти Фёдора Васильевича Бункина
     
     УФН, 186:7 (2016),  799–800
433. Памяти Александра Алексеевича Маненкова (02.01.1930 – 26.03.2014)
     
     Квантовая электроника, 44:6 (2014),  612
434. Сергей Николаевич Багаев (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 181:10 (2011),  1123–1124
435. К 80-летию А. А. Маненкова
     
     Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
436. Николай Васильевич Карлов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:10 (2009),  1141–1142
437. Федор Васильевич Бункин (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:1 (2009),  109–110
438. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
     
     Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
439. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
     
     Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
440. Памяти А. М. Прохорова
     
     Квантовая электроника, 33:7 (2003),  566–567
441. Поправка к статье: Возбуждение звуковых волн при распространении лазерных импульсов в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 32:10 (2002),  940
442. Памяти Александра Михайловича Прохорова
     
     УФН, 172:7 (2002),  841–842
443. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)
     
     Квантовая электроника, 25:6 (1998),  576
444. Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 162:4 (1992),  165–167
445. Александр Михайлович Прохоров (к семидесятипятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 18:7 (1991),  895–896
446. Александр Иванович Барчуков (13.03.1920 г.–10.11.1980 г.) (к семидесятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 17:4 (1990),  528
447. Международная конференция по волоконным световодам ИК диапазона (США, Лос-Анжелес, 26–28 января 1982 г.)
     
     Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2109–2112
448. Международная конференция по волоконно-оптической связи (Вашингтон, США, 6 – 8 марта 1979 г.)
     
     Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2496–2502
449. Поправка к статье: Мандельштам-бриллюэновское и релеевское рассеяние в волоконных световодах: измерение углового распределения интенсивностей рассеяния, потерь на рассеяние и поворота плоскости поляризации
     
     Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1174
450. II совещание по проблеме передачи информации по волоконным световодам (Уиллиамсбург, США, 22–24 февраля 1977 г.)
     
     Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2059–2065