Георгобиани Анатолий Неофитович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  390–393
2. Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием бинарных комплексов дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2146–2150
3. Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1110–1112
4. Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  936–938
5. Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  780–783
6. Антиструктурные дефекты в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  3–15
7. Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями в фосфиде индия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2125–2129
8. Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения
   
   Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1179–1180
9. Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$»
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2131
10. Температурная зависимость края поглощения в соединениях CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1914–1916
11. Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1116–1118
12. Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом P$_{\text{In}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1310–1312
13. Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  810–813
14. Широкозонные полупроводники A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  193–212
15. Свойства $p{-}n$-перехода, полученного ионной имплантацией магния в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  160–161
16. Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1812–1815
17. Электролюминесцентные характеристики светодиода на основе ZnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  408–411
18. Запись электронным зондом на монокристаллах сульфида кадмия
    
    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  392–394
19. Фотолюминесценция кристаллов InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2177–2179
20. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1524–1525
21. Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  593–598
22. Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  316–318
23. Исследование профиля показателя преломления в многослойных лазерных гетероструктурах на основе Ga_1–xAl_xAs
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  426–427
24. Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La₂S₃
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1515–1517
25. Исследование параметров модуляторов лазерного излучения на эффекте Франца-Келдыша
    
    Квантовая электроника, 7:3 (1980),  624–626
26. Электронно-лучевой ультрафиолетовый полупроводниковый лазер
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  2045–2046
27. Плавная перестройка частоты генерации в лазерах с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2231–2237
28. Широкозонные полупроводники A$^\mathrm{II}$B$^\mathrm{VI}$ и перспективы их применения
    
    УФН, 113:1 (1974),  129–155


29. Памяти Михаила Дмитриевича Галанина (7.02.1915 — 3.05.2008)
    
    Квантовая электроника, 38:6 (2008),  612
30. Памяти Михаила Дмитриевича Галанина
    
    УФН, 178:11 (2008),  1237–1238