Щербаков Иван Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Институт общей физики им. А.М. Прохорова: история создания и развития
   
   УФН,  
2. О некоторых научных результатах, полученных в институтах Отделения физических наук РАН за последние 25 лет
   
   УФН, 194:12 (2024),  1242–1249
3. Влияние лазерного излучения на гамма-активность водных растворов соли ¹⁵²Eu
   
   Квантовая электроника, 49:8 (2019),  784–787
4. Одномодовый дисковый Nd : GGG-лазер с трехпучковой диодной накачкой и резонатором вырожденного типа
   
   Квантовая электроника, 48:5 (2018),  468–471
5. Влияние лазерного излучения на водные растворы бета-активных радионуклидов
   
   Квантовая электроника, 47:7 (2017),  627–630
6. Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке на переходе ³H₆ – ³F₄
   
   Квантовая электроника, 46:3 (2016),  189–192
7. Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  895–898
8. Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов
   
   Квантовая электроника, 44:1 (2014),  7–12
9. Исследование Tm:Sc₂SiO₅ лазера c накачкой на переходе ³H₆ – ³F₄ ионов Tm³⁺
   
   Квантовая электроника, 43:11 (2013),  989–993
10. Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов сo взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения
    
    Квантовая электроника, 42:5 (2012),  420–426
11. Фемтосекундные лазеры для микрохирургии роговицы
    
    Квантовая электроника, 42:3 (2012),  262–268
12. Интерференционные исследования дискового активного элемента из ГГГ : Nd при диодной накачке
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  681–686
13. Tm:Sc₂SiO₅-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 41:5 (2011),  420–422
14. Лазерные методы генерации мегавольтных терагерцовых импульсов
    
    УФН, 181:1 (2011),  97–102
15. Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  604–614
16. Исследование Tm:Ho:YLF-лазера при накачке волоконным эрбиевым рамановским лазером на длине волны 1678 нм
    
    Квантовая электроника, 40:4 (2010),  296–300
17. Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке
    
    Квантовая электроника, 40:1 (2010),  35–39
18. Лазерная физика в медицине
    
    УФН, 180:6 (2010),  661–665
19. Новое высокопрочное неодимовое лазерное стекло на фосфатной основе
    
    Квантовая электроника, 39:12 (2009),  1117–1120
20. Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска
    
    Квантовая электроника, 39:11 (2009),  1033–1040
21. Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси c
    
    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  802–806
22. Распределение температуры и термоупругих напряжений в активном элементе в виде тонкого диска с произвольной оптической плотностью
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1105–1109
23. Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  227–232
24. Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  938–940
25. Исследование возможности создания мультикиловаттного твердотельного лазера с многоканальной диодной накачкой на основе оптически плотных активных сред
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  910–915
26. Квазитрехуровневый Nd³⁺:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм
    
    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
27. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазере с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
28. Изготовление и исследование эпитаксиальных пленок GGG:Cr⁴⁺ для пассивных затворов неодимовых лазеров
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  620–623
29. Твердотельные неодимовые лазеры на основе монокристаллических волокон с поперечным градиентом показателя преломления
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  616–619
30. Импульсная и непрерывная генерация на новом лазерном кристалле Cr³⁺ : Li : Mg₂SiO₄
    
    Квантовая электроника, 34:8 (2004),  693–694
31. Твердотельные лазеры — одно из важнейших направлений квантовой электроники
    
    УФН, 174:10 (2004),  1120–1124
32. Квазитрехуровневый Nd:GdVO₄-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
33. Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  19–20
34. Теплопроводность кристалла GdVO₄:Tm³⁺и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  16–18
35. Модуляция добротности в кристаллическом YSGG:Cr³⁺:Yb³⁺:Ho³⁺-лазере на переходе ⁵I₆ — ⁵I₇ (λ = 2.92 мкм)
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  13–15
36. Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  151–154
37. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺ в стационарном и импульсном режимах
    
    Квантовая электроника, 25:1 (1998),  11–15
38. Нелинейное поглощение в кристаллах КТР
    
    Квантовая электроника, 24:4 (1997),  367–370
39. Релаксационные колебания интенсивности излучения двухмикронного тулиевого лазера
    
    Квантовая электроника, 24:3 (1997),  209–212
40. GdVO₄:Tm³⁺ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 24:1 (1997),  15–16
41. GdVO₄ – новая среда для твердотельных лазеров: некоторые оптические и тепловые характеристики кристаллов, легированных ионами Nd³⁺, Tm³⁺, Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1199–1202
42. Лазер с адаптивным петлевым резонатором
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  791–792
43. Лазер на кристалле GdVO₄:Nd³⁺ с волоконным вводом диодной накачки
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  788–790
44. Природа переноса энергии электронного возбуждения от ионов Cr³⁺ к редкоземельным ионам в кристаллах гранатов
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  759–764
45. Ионы Cr⁴⁺ – новый эффективный сенсибилизатор для лазерных материалов на длины волн 1.5–3 мкм, активированных ионами Er³⁺, Tm³⁺, Ho³⁺, Dy³⁺
    
    Квантовая электроника, 21:11 (1994),  1035–1037
46. Лазер на кристалле GdVO₄: Nd³⁺ с полупроводниковой накачкой
    
    Квантовая электроника, 20:12 (1993),  1152–1154
47. Гольмиевые лазеры на кристаллах ИАГ и ИСГГ в импульсно-периодическом режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 20:12 (1993),  1149–1151
48. Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но
    
    Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1105–1110
49. Изменение показателей преломления в кристалле КТР при воздействии моноимпульсов излучения с длиной волны 0.53 мкм
    
    Квантовая электроника, 20:8 (1993),  801–804
50. ИСГГ:Cr:Er-лазер со светодиодной доставкой излучения для целей интракорпоральной литотрипсии
    
    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  194–197
51. Фокусаторы лазерного излучения ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 18:15 (1992),  39–41
52. Кристаллы GdVO₄:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1149–1150
53. Пассивная модуляция добротности импульсных Nd³⁺-лазеров с помощью затворов на основе кристалла ИСГГ:Сг⁴⁺, обладающего фототропными свойствами
    
    Квантовая электроника, 19:7 (1992),  653–656
54. Сенсибилизация люминесценции ионов Ег³⁺ с ионами Се³⁺ в кристалле YAG
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  167–170
55. Межионные взаимодействия в лазерных кристаллах ИСГГ:Сг, Тm и ИСГГ:Сг, Тm, Но
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  150–156
56. Фотоиндуцированное короткоживущее поглощение в кристаллах ГСГГ:Сг³⁺, Nd³⁺ и ГСАГ:Сг³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1056–1059
57. Кросс-релаксационная дезактивация основного состояния ионов редкоземельных элементов в кристаллах
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1042–1046
58. Генерация коротких наносекундных импульсов в ИАГ: Nd-лазере с модулятором добротности на основе кристалла ГСГГ: Cr, Nd
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1040–1041
59. ИСГГ:Cr, Nd-лазер с КПД 1,5–2 % на частоте излучения, удвоенной в кристалле КТР
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1038–1040
60. Высокоэффективный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с поляризационно замкнутым резонатором
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  805–807
61. Моноимпульсный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 4 %
    
    Квантовая электроника, 18:5 (1991),  579–581
62. Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺ и ГСАГ:Сr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺
    
    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  166–169
63. Исследование лазера на ИАГ:Nd с поляризационно замкнутыми резонаторами
    
    Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1637–1638
64. Пространственное усреднение коэффициента усиления в твердотельных активных элементах
    
    Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1559–1560
65. Влияние спектрального состава излучения накачки на генерационные и спектрально-люминесцентные характеристики кристалла YAlO₃:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1445–1448
66. Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг³⁺, Ег³⁺ в области 3 мкм при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1277–1281
67. Лазер двухмикрометрового диапазона на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  861–863
68. Влияние фототропных центров на эффективность энергосъема в ИСГГ:Cr, Nd
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  723–724
69. Экспериментальное обнаружение неаддитивности различных каналов образования инверсной населенности на переходе ⁴I_11/2 → ⁴I_13/2 иона Ег³⁺ в кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  716–717
70. Метод улучшения пространственной однородности излучения лазера с поляризационным выводом излучения
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  453–454
71. Самопереключение излучения в двужильном волоконном световоде с разведенными жилами на концах
    
    Докл. АН СССР, 309:3 (1989),  611–614
72. Радиационная стойкость редкоземельных скандий-алюминиевых гранатов
    
    Докл. АН СССР, 305:3 (1989),  581–583
73. Лазер трехмикронного диапазона на ZrO₂–Y₂O₃:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2421–2423
74. ГСГГ:Cr, Nd-лазер с высоким удельным энергосъемом
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2413–2415
75. Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr³⁺–Tm³⁺–Ho³⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2176–2179
76. Высокоэффективный ИСГГ:Сг, Nd-лазер с удвоением частоты излучения в кристалле КТР
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1601–1604
77. Лазеры на ИСГГ:Cr, Nd, ИЛФ:Nd и ИАГ:Nd как задающие генераторы для усилителя на фосфатном стекле
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1140–1142
78. Лазер с активными элементами из кристаллов ИСГГ : Cr, Nd и ИСГГ : Cr, Tm, Ho, излучающий на длинах волн 1,06 и 2,088 мкм
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  673–675
79. Генерация гигантского импульса в моде TEM₀₀ (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  672–673
80. Экспериментальные проявления эффекта сглаживания термооптических неоднородностей в активных средах твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  517–519
81. Мощный лазер на гадолиний–скандий–алюминиевом гранате, активированном хромом и неодимом с автомодуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  474–477
82. Лазер на ИСГГ: Cr³⁺, Nd³⁺ с волноводным активным элементом
    
    Квантовая электроника, 16:1 (1989),  28–31
83. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристаллах гадолиний-скандий-алюминиевого граната
    
    Докл. АН СССР, 299:6 (1988),  1371–1373
84. Механизмы образования центров окраски в хромсодержащих кристаллах скандиевых гранатов
    
    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2296–2302
85. Автокомпенсация термооптических неоднородностей в импульсно-периодических твердотельных лазерах на основе оптически плотных активных сред
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2323–2328
86. Фотоиндуцированные потери в кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2071–2077
87. Лазер на гадолиний-скандий-алюминиевом гранате с хромом и неодимом
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1760–1761
88. Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  960–961
89. Низкопороговый ИСГГ:Cr, Er-лазер трехмикронного диапазона с высокой частотой повторения импульсов
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  871–872
90. Коэффициенты усиления в области 1,5 и 3 мкм кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  497–499
91. Возможности волноводных активных элементов из различных материалов для твердотельных лазеров высоких средних мощностей
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  486–489
92. ИСГГ:Сг, Nd-лазер с КПД 3,6 %, энергией линейно поляризованного излучения в моноимпульсе 0,46 Дж и частотой повторения импульсов 50 Гц
    
    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  67–69
93. Акустооптическая модуляция излучения ГСГГ-$\mathrm{Cr}$-$\mathrm{Nd}$-лазера, работающего при высоких энергиях накачки
    
    Докл. АН СССР, 296:2 (1987),  335–337
94. Кристаллы иттрий-скандий-алюминиевого граната с хромом и неодимом как материал для активных сред твердотельных лазеров
    
    Докл. АН СССР, 295:5 (1987),  1098–1101
95. Термическая деполяризация оптического излучения в лазерном активном элементе из кристалла ГСГГ:Cr³⁺:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1663–1665
96. ИСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺ – новая эффективная среда для импульсных твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1651–1652
97. Спектрально-ограниченные пикосекундные импульсы лазера на ИСГГ:Cr³⁺, Er³⁺ (λ = 2,79 мкм) с активной синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1219–1224
98. Распад сверхкороткого импульса при самопереключении света в туннельно-связанных волноводах
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1157–1159
99. Экспериментальное наблюдение самопереключения излучения в туннельно-связанных оптических волноводах
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1144–1147
100. Эффективный лазер (λ = 2,088 мкм) на иттрий-скандий-галлиевом гранате с ионами хрома, тулия и гольмия при комнатной температуре
     
     Квантовая электроника, 14:5 (1987),  922–923
101. Лазер на ГСГГ:Cr, Nd с эффективной накачкой и модуляцией добротности
     
     Квантовая электроника, 14:5 (1987),  916–917
102. Корреляция конденсации спектра излучениях временными характеристиками импульса лазерной генерации
     
     Квантовая электроника, 14:5 (1987),  909–910
103. Компактный лазер на основе ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺ с пассивной модуляцией добротности
     
     Квантовая электроника, 14:5 (1987),  905–906
104. Короткоживущее поглощение в возбужденных кристаллах ГСГГ:Cr–Nd
     
     Квантовая электроника, 14:4 (1987),  836–837
105. ВРМБ-зеркало с плазменным затвором в двухпроходовом лазерном усилителе
     
     Квантовая электроника, 14:3 (1987),  477–480
106. Синхронизация мод неодимового лазера с затвором из гадолиний-скандий-галлиевого граната
     
     Квантовая электроника, 14:2 (1987),  423–424
107. Акустооптические свойства редкоземельных галлиевых гранатов
     
     Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1409–1411
108. ГСГГ–Cr, Nd-лазер с призменным резонатором и поляризационным выводом излучения
     
     Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2349–2350
109. Применение кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фотохромными центрами в качестве активных элементов твердотельных лазеров
     
     Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2347–2348
110. Температурная зависимость коэффициента усиления и эффективных поперечных сечений генерационного перехода ~1,06 мкм в кристаллах гадолиний-скандий-галлиевого граната с хромом и неодимом
     
     Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2203–2207
111. Генерация ионов гольмия на переходе⁵I₇→⁵I₈ при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
     
     Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2127–2129
112. Оптимизация условий съема запасенной энергии в режиме модулированной добротности для активных элементов ГСГГ:Cr, Nd
     
     Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1048–1050
113. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
     
     Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
114. Пикосекундный лазер на кристалле ГСГГ:Cr, Nd
     
     Квантовая электроника, 13:3 (1986),  655–656
115. Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
     
     Квантовая электроника, 13:2 (1986),  412–414
116. Кристаллы скандий-галлиевых гранатов с хромом как активные среды лазеров на ИК переходах Ho³⁺ и Tm³⁺
     
     Квантовая электроника, 13:1 (1986),  216–219
117. Лазерный спектроанализатор на основе кристалла ГСГГ:$\mathrm{Cr}^{3+}$
     
     Докл. АН СССР, 285:1 (1985),  92–95
118. Влияние ионов хрома на образование центров окраски в кристаллах со структурой граната
     
     Докл. АН СССР, 282:5 (1985),  1104–1106
119. Нелинейная перекачка света в туннельно-связанных оптических волноводах
     
     Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2312–2316
120. Усиление моноимпульсов кристаллом ГСГГ – Cr³⁺, Nd³⁺
     
     Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2198–2199
121. О лазерной прочности активных элементов из гадолиний-скандий-галлиевого граната
     
     Квантовая электроника, 12:2 (1985),  430–432
122. Перенос энергии в твердых телах, новые активные среды твердотельных лазеров
     
     УФН, 146:2 (1985),  355–357
123. Описание временных эволюций населенности возбужденного состояния доноров в кристаллах редкоземельных пентафосфатов при прыжковом механизме тушения
     
     Докл. АН СССР, 278:1 (1984),  89–92
124. Анализ резонансных спетров люминесценции Nd$^{3+}$ в монокристалле полупроводника $\alpha$-Gd$_{2}$S$_{3}$
     
     Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2405–2407
125. Исследование новой активной среды лазера – кристалла гадолиний – скандий – галлиевого граната, активированного хромом и неодимом
     
     Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1565–1574
126. Новые возможности Cr³⁺ как активатора рабочих сред твердотельных лазеров
     
     Квантовая электроника, 11:3 (1984),  487–492
127. Безмодельное описание временных эволюции населенности возбужденного состояния доноров при их взаимодействии с акцепторами в кубическом кристалле
     
     Докл. АН СССР, 271:3 (1983),  615–618
128. Исследование процессов переноса энергии в кристаллах редкоземельных пентафосфатов
     
     Физика твердого тела, 25:7 (1983),  1983–1988
129. Концентрационное тушение и квантовый выход люминесценции Nd$^{3+}$ в полупроводниковых кристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$ и стеклах La$_{2}$S$_{3}\cdot$2Ga$_{2}$O$_{3}$
     
     Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1664–1669
130. Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме
     
     Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1961–1963
131. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
     
     Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919
132. Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La₂S₃ и стеклах La₂S₃·2Ga₂O₃
     
     Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1560–1564
133. Определение оптимальных концентраций рабочих частиц в лазерных средах
     
     Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1338–1343
134. Деградация электронного возбуждения состояния ⁴F_3/2 ионов Nd³⁺ в монокристалле γ-La₂S₃
     
     Квантовая электроника, 10:3 (1983),  569–573
135. Особенности спектрально-люминесцентных свойств ионов Nd³⁺ полупроводника γ-La₂S₃
     
     Квантовая электроника, 10:3 (1983),  557–562
136. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома
     
     Квантовая электроника, 10:1 (1983),  140–144
137. Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой
     
     Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2531–2533
138. Абсолютный квантовый выход люминесценции ионов Cr³⁺ в кристаллах гадолиний-галлиевого и гадолиний-скандий-галлиевого гранатов
     
     Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1740–1741
139. Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La₂S₃
     
     Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1515–1517
140. Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y₃Al₅O₁₂
     
     Квантовая электроника, 9:6 (1982),  1180–1185
141. Сенсибилизация излучения и ее применение для повышения эффективности активных сред твердотельных лазеров
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  681–688
142. Измерение абсолютного квантового выхода люминесценции с верхнего лазерного уровня Nd³⁺ в кристалле NdP₅O₁₄
     
     Квантовая электроника, 9:3 (1982),  612–613
143. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂
     
     Квантовая электроника, 9:3 (1982),  568–573
144. Исследование механизмов взаимодействия ионов хрома и неодима в фосфатных стеклах
     
     Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1442–1450
145. Дисперсия вероятностей внутрицентровых безызлучательных переходов в твердых телах
     
     Докл. АН СССР, 254:3 (1980),  593–596
146. Синтез и исследование спектрально-люминесцентных и генерационных свойств кристаллов алюмоборатов, активированных ионами хрома и неодима
     
     Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2105–2111
147. Измерения абсолютного квантового выхода люминесценции неодима в высококонцентрированных стеклах, соактивированных хромом
     
     Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2253–2256
148. Дискриминация неоднородно-уширенных спектров излучения неодима методом резонансного лазерного возбуждения
     
     Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2215–2219
149. Безызлучательная передача энергии от ионов Cr³⁺ к ионам Nd³⁺ в высококонцентрированных неодимовых стеклах
     
     Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1583–1585
150. Безызлучательные потери на переходе ⁴I_11/2–⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Y₃Al₅O₁₂, Gd₃Sc₂Al₃O₁₂, Y₃Ga₅O₁₂, Gd₃Ga₅O₁₂, CaF₂
     
     Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1028–1033
151. Концентрационные зависимости квантового выхода люминесценции в лазерных матрицах, активированных неодимом, и микроскопический подход к их определению
     
     Квантовая электроника, 5:4 (1978),  847–856
152. Корреляция эффективности кооперативной сенсибилизации люминесценции с интенсивностью релеевского рассеяния
     
     Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1661–1665
153. Селективное возбуждение активаторных центров в конденсированных средах с неоднородным уширением спектральных линий
     
     Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1050–1055
154. Исследование безызлучательных потерь и импульсно-периодического режима генерации Li–Nd–La-фосфатного стекла
     
     Квантовая электроника, 4:3 (1977),  688–691
155. Исследование эффекта аномально слабого тушения люминесценции ионов Nd³⁺ в кристаллах La_1–xNd_xP₅O₁₄
     
     Квантовая электроника, 4:2 (1977),  302–309
156. Сечение лазерного перехода ⁴I_11/2 – ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристалле иттрий-эрбий-алюминиевого граната
     
     Квантовая электроника, 4:1 (1977),  198–201
157. Спектральные и генерационные свойства $(\mathrm{Li}-\mathrm{Nd})$-фосфатного стекла
     
     Докл. АН СССР, 227:1 (1976),  75–77
158. Физико-химические, спектрально-люминесцентные и генерационные исследования фосфатных стекол с высокой концентрацией неодима
     
     Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2243–2247
159. Излучательные и безызлучательные переходы Er³⁺ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
     
     Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1471–1477
160. Спектроскопические свойства скандийсодержащих гранатов, активированных неодимом
     
     Квантовая электроника, 3:3 (1976),  618–621
161. Коэффициенты Эйнштейна, сечения генерационного перехода и абсолютный квантовый выход люминесценции с метастабильного состояния Nd^{3+ 4}F_3/2 в лазерных стеклах и кристаллах граната
     
     Квантовая электроника, 3:1 (1976),  168–173
162. Прямые измерения квантового выхода люминесценции с метастабильного состояния $^4F_{3/2}\mathrm{Nd}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
     
     Докл. АН СССР, 224:1 (1975),  64–67
163. Миграция энергии по ионам Yb³⁺ в кристаллах гранатов
     
     Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2172–2182
164. Измерение сечения генерационного перехода в неодимовых стеклах
     
     Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1665–1670
165. Исследование механизма безызлучательной релаксации метастабильного состояния Nd^{3+ 4}F_3/2 в силикатном стекле
     
     Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1269–1277
166. Измерение вероятностей излучательных переходов из метастабильного состояния Nd³⁺ в силикатных стеклах
     
     Квантовая электроника, 2:1 (1975),  133–135
167. О квантовом выходе люминесценции с метастабильного состояния $\mathrm{Nd}^{3+}$ в силикатных стеклах и кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
     
     Докл. АН СССР, 216:2 (1974),  297–299
168. Измерение вероятностей излучательных переходов с метастабильного уровня $\mathrm{Nd}^{3+}$ в силикатном стекле и кристалле граната
     
     Докл. АН СССР, 215:6 (1974),  1341–1344
169. Синтез и исследование монокристаллов Nd_x La_1–xP₅O₁₄
     
     Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2625–2628


170. Ашуров Мухсинджан Хуррамович (к 75-летию со дня рождения)
     
     УФН,  
171. К 60-летию получения Нобелевской премии за открытие лазерно-мазерного принципа
     
     УФН, 194:8 (2024),  899–902
172. Памяти Валерия Анатольевича Рубакова
     
     УФН, 193:2 (2023),  231–232
173. К 90-летию О.Н. Крохина
     
     Квантовая электроника, 52:3 (2022),  306
174. Владислав Юрьевич Хомич (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 192:4 (2022),  453–454
175. Олег Николаевич Крохин (к 90-летию со дня рождения)
     
     УФН, 192:3 (2022),  341–342
176. Памяти Вадима Львовича Гуревича
     
     УФН, 192:2 (2022),  229–230
177. Памяти Юрия Алексеевича Трутнева
     
     УФН, 192:2 (2022),  227–228
178. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
     
     ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894
179. К 80-летию Сергея Николаевича Багаева
     
     Квантовая электроника, 51:10 (2021),  958
180. Виктор Анатольевич Матвеев (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 191:12 (2021),  1401–1402
181. Вадим Вениаминович Бражкин (к 60-летию со дня рождения)
     
     УФН, 191:10 (2021),  1127–1128
182. Евгений Андреевич Виноградов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 191:10 (2021),  1125–1126
183. Николай Николаевич Розанов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 191:4 (2021),  445–446
184. Памяти Николая Николаевича Сибельдина
     
     УФН, 191:3 (2021),  333–334
185. Памяти Владимира Евгеньевича Фортова
     
     УФН, 191:1 (2021),  111–112
186. Памяти Вячеслава Васильевича Осико (28 марта 1932 г. – 15 ноября 2019 г.)
     
     Квантовая электроника, 50:1 (2020),  94
187. Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)
     
     УФН, 190:12 (2020),  1343–1344
188. Александр Григорьевич Литвак (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 190:11 (2020),  1227–1228
189. Памяти Вячеслава Васильевича Осико
     
     УФН, 190:2 (2020),  223–224
190. Памяти Вячеслава Петровича Макарова (14 февраля 1938 г. – 6 августа 2019 г.)
     
     Квантовая электроника, 49:9 (2019),  894
191. Памяти Евгения Михайловича Дианова
     
     Квантовая электроника, 49:3 (2019),  298
192. Андрей Николаевич Лагарьков (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 189:10 (2019),  1129–1130
193. Памяти Юрия Моисеевича Кагана
     
     УФН, 189:9 (2019),  1011–1012
194. Памяти Виктора Георгиевича Веселаго
     
     УФН, 189:3 (2019),  335–336
195. Митрофан Федорович Стельмах
     
     Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1179
196. Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)
     
     Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290
197. К 60-летию Сергея Григорьевича Гаранина
     
     Квантовая электроника, 48:2 (2018),  188
198. Виктор Дмитриевич Селемир (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 188:12 (2018),  1367–1368
199. Радий Иванович Илькаев (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 188:10 (2018),  1135–1136
200. Юрий Моисеевич Каган (к 90-летию со дня рождения)
     
     УФН, 188:7 (2018),  799–800
201. Юрий Алексеевич Трутнев (к 90-летию со дня рождения )
     
     УФН, 187:12 (2017),  1401–1402
202. Олег Владимирович Руденко (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 187:10 (2017),  1143–1144
203. Памяти Михаила Яковлевича Щелева
     
     Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1066
204. К 80-летию Валентина Георгиевича Дмитриева (15.11.1936–15.09.2011)
     
     Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1065
205. К 75-летию Сергея Николаевича Багаева
     
     Квантовая электроника, 46:10 (2016),  972
206. К 100-летию Александра Михайловича Прохорова
     
     Квантовая электроника, 46:7 (2016),  672–674
207. Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:12 (2016),  1381–1382
208. Кев Минуллинович Салихов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:12 (2016),  1377–1378
209. Памяти Фёдора Васильевича Бункина
     
     УФН, 186:7 (2016),  799–800
210. Геннадий Андреевич Месяц (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:2 (2016),  223–224
211. Евгений Михайлович Дианов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:1 (2016),  111–112
212. Владимир Евгеньевич Фортов (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:1 (2016),  109–110
213. Валерий Анатольевич Рубаков (к 60-летию со дня рождения)
     
     УФН, 185:2 (2015),  221–222
214. Памяти Александра Алексеевича Маненкова (02.01.1930 – 26.03.2014)
     
     Квантовая электроника, 44:6 (2014),  612
215. Памяти Тасолтана Тазретовича Басиева
     
     Квантовая электроника, 42:4 (2012),  376
216. Памяти Александра Аполлоновича Казакова
     
     Квантовая электроника, 42:4 (2012),  375
217. Валентин Георгиевич Дмитриев (15 ноября 1936 г. — 15 сентября 2011 г.)
     
     Квантовая электроника, 41:10 (2011),  956
218. Сергей Николаевич Багаев (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 181:10 (2011),  1123–1124
219. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 181:1 (2011),  115–116
220. К истории создания лазера
     
     УФН, 181:1 (2011),  71–78
221. Поправка к статье: Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска
     
     Квантовая электроника, 40:8 (2010),  752
222. К 80-летию А. А. Маненкова
     
     Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
223. Памяти М. Ф. Стельмаха (1918 — 1993)
     
     Квантовая электроника, 39:1 (2009),  110
224. Николай Васильевич Карлов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:10 (2009),  1141–1142
225. Федор Васильевич Бункин (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:1 (2009),  109–110
226. К 70-летию В. П. Макарова
     
     Квантовая электроника, 38:2 (2008),  204
227. Институту общей физики им. А. М. Прохорова РАН 25 лет
     
     Квантовая электроника, 37:10 (2007),  895–896
228. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
     
     Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
229. А. М. Прохоров — основатель Института общей физики
     
     УФН, 177:6 (2007),  684–689
230. Предисловие к юбилейному номеру
     
     Квантовая электроника, 36:7 (2006),  581
231. Евгений Михайлович Дианов
     
     Квантовая электроника, 36:1 (2006),  94
232. Памяти Михаила Леоновича Тер-Микаеляна
     
     УФН, 174:9 (2004),  1029–1030
233. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
     
     Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
234. Памяти Александра Михайловича Прохорова
     
     УФН, 172:7 (2002),  841–842
235. Игорь Ильич Собельман (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 167:3 (1997),  343–344
236. Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 162:4 (1992),  165–167
237. Вячеслав Васильевич Осико (к пятидесятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1072
238. Мощные импульсные лазерные системы на неодимовом стекле
     
     УФН, 138:3 (1982),  538
239. Лазерная спектроскопия твердых тел
     
     УФН, 137:2 (1982),  370–371