Попов Юрий Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности формирования потока излучения в диодно-накачиваемых лазерах и усилителях с активными элементами из Nd : YAG-керамики
   
   Квантовая электроника, 52:5 (2022),  449–453
2. Генерационные характеристики новых лазерных керамик отечественного производства
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  802–806
3. Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках
   
   Квантовая электроника, 48:2 (2018),  115–118
4. Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм
   
   Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6
5. Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт
   
   Квантовая электроника, 46:8 (2016),  679–681
6. Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов
   
   Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1088–1090
7. Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800–808 нм в импульсном режиме
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  114–119
8. Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  899–902
9. Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм
   
   Квантовая электроника, 44:2 (2014),  145–148
10. Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  959–960
11. Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243
12. Модификация структуры металлических пленок излучением твердотельного лазера с диодной накачкой для повышения выходных параметров мощных лазерных диодов
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1055–1059
13. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  857–862
14. Лазерная электронно-лучевая трубка с монолитным лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  853–856
15. Высокоэффективный компактный Nd³⁺:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором
    
    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  507–510
16. Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GaInP/AlGaInP с резонансно-периодическим усилением
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  919–923
17. Об истории создания инжекционного лазера
    
    УФН, 174:10 (2004),  1142–1144
18. Использование потенциалов нулевого радиуса в качестве алгоритма решения квантовой задачи рассеяния
    
    Выч. мет. программирование, 5:1 (2004),  83–95
19. Порог и КПД генерации в лазерной электронно-лучевой трубке, работающей при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 33:1 (2003),  48–56
20. Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 32:4 (2002),  297–302
21. Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50%
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  303–304
22. Полупроводниковые лазеры
    
    Квантовая электроника, 24:12 (1997),  1067–1079
23. Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов
    
    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  974–976
24. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  756–758
25. Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 22:2 (1995),  101–104
26. Энергетические и временные характеристики излучения стримерного лазера с продольным выходом излучения
    
    Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1790–1792
27. Стримерный лазер на сульфиде цинка
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1764–1766
28. Ширина линии генерации инжекционных лазеров в квазиодночастотном режиме
    
    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  203–207
29. Влияние легирования на пороговые характеристики лазеров на основе GaAs
    
    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  78–84
30. Локальные исследования сегнетоэлектриков с помощью вторичной электронной эмиссии
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  829–831
31. Спектрально-временная динамика излучения стримерного полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1230–1234
32. Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)
    
    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  437–451
33. Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  190–192
34. Полупроводниковые лазеры
    
    УФН, 148:1 (1986),  35–53
35. Измерение частотного сдвига в пикосекундном импульсе инжекционного лазера с синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1297–1299
36. Монокристаллы твердых растворов ZnSe_1–xTe_x, Zn_1–xCd_xSe, Zn_xCd_1–xS для лазеров с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116
37. Влияние экранированного кулоновского взаимодействия на спектры оптического усиления в CdS
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1084–1086
38. Полупроводниковый лазер на переходах между уровнями размерного квантования с раздельными электронным и оптическим ограничениями
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1885–1887
39. Электроразрядный (стримерный) лазер на InP
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  611–613
40. Оптическая накачка лазера на CdS_0,5Se_0,5 излучением стримерного лазера на CdS
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1942–1943
41. Возбуждение поверхностных плазменных колебаний и их излучение в структурах с пространственно-неоднородными граничными условиями
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1927–1929
42. Исследование генерации света в направлении стримерного канала в полупроводниках А₂В₆
    
    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1165–1170
43. Исследование свечения структур металл – барьер – металл
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  729–735
44. Влияние поляризации излучения инжекционных лазеров на эффективность акустооптического взаимодействия в анизотропных кристаллах
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  638–640
45. Интегрально-оптический фотоприемник на внешнем фотоэффекте через барьер Шоттки
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  449–452
46. Увеличение эффективности излучения поверхностных плазменных колебаний в структуре металл – барьер – металл – жидкий кристалл
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2306–2307
47. Генерация электромагнитных колебаний МБМБМ-структурами
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1700–1702
48. Пространственно-временные и мощностные характеристики стримерного полупроводникового лазера на CdS
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1530–1535
49. Усиление поверхностных плазменных колебаний в сложных структурах металл–барьер–металл
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1463–1464
50. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы поглощения и индуцированного излучения в CdS
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  806–810
51. Лазерные экраны из монокристаллических пленок ZnSe и ZnTe, выращенных на сапфире
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1380–1382
52. Регистрация света с помощью МДП-структуры, работающей в режиме лавинного умножения
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  785–792
53. Исследование решетчатых структур в составных волноводах
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  732–736
54. К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  206–209
55. Запись голограмм излучением полупроводникового лазера с голографическим селектором
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2654–2656
56. Запись бинарных сигналов во внешнем голографическом запоминающем устройстве с помощью управляемого одномерного транспаранта на основе ЦТСЛ-керамики
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2568–2572
57. О методике измерения коэффициента оптического усиления полупроводниковых материалов
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2011–2014
58. Влияние спектра внешней подсветки на переходные и автомодуляционные процессы в инжекционном лазере
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1995–1998
59. Запись и считывание информации излучением инжекционных лазеров для голографических запоминающих устройств
    
    Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1826–1827
60. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
61. Исследование мультиплексора каналов передачи информации с частотным уплотнением
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1360–1362
62. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
63. Исследование деградации лазерного экрана электронно-лучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1058–1062
64. Пространственная модуляция света в фоточувствительных высокоразрешающих структурах МДП с жидким кристаллом
    
    Квантовая электроника, 7:2 (1980),  290–298
65. Регистрация фурье-голограмм в оптической системе с синтезированной апертурой
    
    Квантовая электроника, 7:2 (1980),  282–289
66. Исследование условий согласования полупроводниковых излучателей с тонкопленочными планарными и полосковыми волноводами
    
    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2262–2264
67. Когерентное взаимодействие мощных импульсов света с экситонно-примесными центрами в молекулярных кристаллах
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  1971–1976
68. Пространственная модуляция света в фоточувствительной структуре жидкий кристалл – изолированный кристалл арсенида галлия
    
    Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1810–1812
69. Цифровая обработка информации на оптоэлектронных устройствах (обзор)
    
    Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1125–1147
70. К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1057–1061
71. Сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  603–604
72. О механизме генерации в лазерных экранах, выполненных из полупроводниковых соединений A^IIB^VI
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  189–196
73. О распространении через полупроводник мощных световых импульсов, индуцирующих переходы между зонами с различными эффективными массами
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  120–126
74. Некоторые алгоритмы эффективного решения задач на оптоэлектронном процессоре
    
    Докл. АН СССР, 243:4 (1978),  870–873
75. Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2408–2415
76. Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод
    
    Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2038–2041
77. Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации равновесных носителей тока
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  642–646
78. Способы реализации оптического процессора с переменными операторами
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  533–542
79. Принципы построения оптических процессоров с переменными операторами
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  526–532
80. О распространении мощных световых импульсов через полупроводник в условиях междузонного взаимодействия
    
    Квантовая электроника, 5:2 (1978),  359–370
81. Влияние поверхностной рекомбинации на порог генерации полупроводниковых лазеров
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  148–150
82. Получение генерации в телевизионном режиме работы лазерной электронно-лучевой трубки при комнатной температуре лазерного экрана
    
    Квантовая электроника, 4:10 (1977),  2246–2248
83. Формирование изображения в когерентной системе с синтезированной апертурой
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  1981–1989
84. Кинетика генерации эксимерного излучения инертных газов в несамостоятельном электрическом разряде
    
    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1722–1731
85. Восьмиканальная волоконно-оптическая линия связи между устройствами ЭВМ
    
    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1610–1613
86. Повышение разрешающей способности когерентных оптических систем методом апертурного синтеза
    
    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1608–1610
87. Когерентное двухфотонное взаимодействие лазерного излучения с экситонами Френкеля
    
    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1578–1581
88. Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия
    
    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359
89. О влиянии фазовой модуляции на двухбайтовое когерентное взаимодействие световых импульсов с резонансными средами
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  651–653
90. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdS_xSe_1–x, ZnSe
    
    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354
91. Влияние поверхностной обработки на катодолюминесценцию монокристаллов CdS
    
    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  58–62
92. Голографическая память большой емкости с синтезированной апертурой
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2325–2336
93. Влияние релаксационных процессов на когерентность двухквантового взаимодействия импульса света с резонансными средами
    
    Квантовая электроника, 2:12 (1975),  2621–2624
94. Реверсивная запись оптической информации на структурах металл – диэлектрик – полупроводник
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2013–2018
95. Когерентные эффекты, возникающие при распространении ультракоротких импульсов света в среде в условиях двухквантового взаимодействия
    
    Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1147–1152
96. К теории распространения коротких и ультракоротких импульсов света в полупроводнике в условиях междузонного поглощения
    
    Квантовая электроника, 2:2 (1975),  332–336
97. К расчету согласования инжекционного лазера с диэлектрическим волноводом
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1780–1784
98. Когерентные эффекты при распространении ультракоротких импульсов света в резонансных средах. Часть II (обзор)
    
    Квантовая электроника, 1:6 (1974),  1309–1344
99. Усиление света в полупроводниках при рекомбинации экситонов высокой концентрации
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1258–1261
100. Когерентные эффекты при распространении ультракоротких импульсов света в резонансных средах. Часть I (обзор)
     
     Квантовая электроника, 1:4 (1974),  757–785
101. Фотолюминесцентные свойства и коэффициент усиления монокристаллов CdS, CdSe при возбуждении электронным пучком
     
     Квантовая электроника, 1:3 (1974),  653–659
102. Модуляция излучения в полупроводниках с помощью эффекта Ганна
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  155–158
103. К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  62–68
104. Оптическая память на основе структуры металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  48–53
105. Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  43–47
106. Возможность построения арифметического устройства с помощью управляемых световых транспарантов
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  27–34
107. Эффект самоиндуцированной прозрачности
     
     УФН, 114:1 (1974),  97–131
108. О вычислении квазиуровней Ферми и характеристик спонтанного излучения в сильнолегированных полупроводниках
     
     Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  117–119
109. Запоминающая система металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл с записью и считыванием лучом света
     
     Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  58–62
110. Распространение ультракороткого импульса света в полупроводнике в условиях двухфотонного резонанса
     
     Квантовая электроника, 1972, № 4(10),  111–113
111. Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках
     
     Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  77–83
112. Усиление фотосигнала в структурах металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл
     
     Квантовая электроника, 1971, № 6,  113–114
113. Прохождение когерентного ультракороткого импульса света через полупроводник
     
     Квантовая электроника, 1971, № 5,  28–36
114. О влиянии концентрации примесей на пороговые характеристики полупроводниковых квантовых генераторов
     
     Квантовая электроника, 1971, № 3,  15–22
115. Вынужденное излучение в области вакуумного ультрафиолета
     
     Квантовая электроника, 1971, № 1,  29–34
116. Возможность модуляции излучения полупроводникового квантового генератора путем разогрева носителей тока
     
     Докл. АН СССР, 173:5 (1967),  1036–1039
117. Влияние сильного магнитного поля на рекомбинационное излучение в полупроводниках
     
     Докл. АН СССР, 167:3 (1966),  559–561
118. Полупроводниковый квантовый генератор на $p$–$n$-переходе в $\mathrm{GaAs}$
     
     Докл. АН СССР, 150:2 (1963),  275–278
119. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем
     
     УФН, 72:2 (1960),  161–209


120. К 90-летию О.Н. Крохина
     
     Квантовая электроника, 52:3 (2022),  306
121. Олег Николаевич Крохин (к 90-летию со дня рождения)
     
     УФН, 192:3 (2022),  341–342
122. Митрофан Федорович Стельмах
     
     Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1179
123. Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)
     
     Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290
124. История создания инжекционного лазера
     
     УФН, 181:1 (2011),  102–107
125. Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (Звенигород, 27 — 29 ноября 2007 г.)
     
     Квантовая электроника, 38:3 (2008),  294–297
126. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
     
     Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
127. Поправка к статье: Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки
     
     Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564
128. Олег Николаевич Крохин
     (к семидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 172:6 (2002),  723–724
129. Памяти Николая Геннадиевича Басова
     
     Квантовая электроника, 31:8 (2001),  751
130. Памяти Олега Владимировича Богданкевича
     
     Квантовая электроника, 31:5 (2001),  470
131. Николай Геннадиевич Басов (к семидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 163:1 (1993),  109–111
132. Виталий Сергеевич Зуев (к пятидесятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1520