RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Котелянский Иосиф Моисеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Некоторые тенденции развития акустоэлектроники сверхвысоких частот

    УФН, 175:8 (2005),  895–900
  2. Особенности работы газовых датчиков на поверхностных акустических волнах

    ЖТФ, 62:2 (1992),  200–202
  3. Упругие свойства поликристаллических пленок Pd, PdH$_{0.66}$ и Ni

    Физика твердого тела, 33:9 (1991),  2757–2758
  4. Пьезоэлектрические пленки для акустоэлектронных устройств: получение, свойства, области применения

    ЖТФ, 60:6 (1990),  114–120
  5. Пьезоэлектрические пленки Ta$_{2}$O$_{5}$: получение, упругие и акустические свойства

    Физика твердого тела, 31:4 (1989),  230–233
  6. Наблюдение электронного поглощения магнитостатических волн в структуре феррит$-$высокотемпературный сверхпроводник

    Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  24–28
  7. Поглощение поверхностных акустических волн (ПАВ) в текстурированных пленках гексагональной сингонии

    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  853–859
  8. Пленки YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ с высокотемпературной сверхпроводимостью, полученные методом магнетронного распыления

    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  761–763
  9. Поглощение акустических волн в кристаллах вольфрама магния и алюмината кальция

    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2861–2864
  10. Акустические свойства слоистой структуры пьезоэлектрическая пленка ZnO на кремнии

    ЖТФ, 57:3 (1987),  535–539
  11. Резонансное фонон-примесное рассеяние в твердых растворах (Y$_{1-{\tilde c}}$Lu$_{{\tilde c}}$)$_{3}$Al$_{5}$O$_{12}$

    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2941–2945
  12. Поглощение акустических волн в кристаллах германоэвлитина (Bi$_{4}$Ge$_{3}$O$_{12}$)

    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1950–1953
  13. Фильтр на ПАВ на основе структуры $Zn\,O/Ga\,As$

    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  668–671
  14. О природе аномально большого затухания ПАВ в слоистых структурах на основе пьезоэлектрических пленок $Zn\,O$ и пути его уменьшения

    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  179–183
  15. Резонатор на ПАВ на основе структуры $Zn\,O/Y_{2.8}\,Lu_{0.2}\,Al_{5}\,O_{12}$

    Письма в ЖТФ, 12:1 (1986),  52–55
  16. Поглощение акустических волн в кристаллах иттрий–алюминиевого бората и ИАБ: $Nd$

    Письма в ЖТФ, 12:1 (1986),  18–21
  17. Методика расчета коэффициента поглощения ПАВ в слоистых структурах

    ЖТФ, 55:12 (1985),  2420–2421
  18. Фонон-примесная релаксация и поглощение акустических волн в кристаллах иттрий-алюминиевых гранатов с примесями

    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  641–647
  19. О возбуждении поверхностной акустической волны типа Стоунли на границе твердого и жидкого полупространств с помощью встречно-штыревого преобразователя

    ЖТФ, 54:7 (1984),  1402–1404
  20. Возбуждение ПАВ частоты 1.1 ГГц в структуре ZnO/Al$_{2}$O$_{3}$

    Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1085–1087
  21. Смещение пучка ПАВ при отражении от периодической структуры

    Письма в ЖТФ, 10:10 (1984),  613–616
  22. Получение гофрированных решеток с высокой дифракционной эффективностью на поверхности LiNbO3

    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  421–422
  23. Отражение высокочастотных акустических волн от статистически неровной поверхности твердого тела

    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2184–2186
  24. Гофрированная решетка на поверхности волновода с повышенной эффективностью связи

    ЖТФ, 53:12 (1983),  2411–2412
  25. Преобразователь поверхностных и приповерхностных акустических волн

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1039–1042
  26. Фокусирующие гофрированные решетки для ввода – вывода излучения в диффузионных волноводах на LiNbO3

    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  838–843
  27. Низковольтный электрооптический дефлектор

    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  2030–2031
  28. Простой метод определения профилей диффузионных волноводов

    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  378–381


© МИАН, 2024