Алфёров Жорес Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
2. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
   
   Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
3. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
4. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
5. Революция в области полупроводников в XX веке
   
   Усп. хим., 82:7 (2013),  587–596
6. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии
   
   УФН, 172:9 (2002),  1068–1086
7. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
   
   УФН, 171:8 (2001),  857–858
8. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками
   
   УФН, 171:8 (2001),  855–857
9. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
   
   УФН, 169:4 (1999),  459–464
10. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах
    
    УФН, 166:4 (1996),  423–428
11. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками
    
    УФН, 165:2 (1995),  224–225
12. Виталий Иосифович Гольданский (К семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 163:8 (1993),  117–118
13. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722
14. (Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203
15. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158
16. Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110
17. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
18. Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060
19. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
20. Тонкопленочные многопроходные AlGaAs-фотоэлементы с двусторонней фоточувствительностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  193–197
21. «Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы
    
    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  76–79
22. Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1983–1988
23. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829
24. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093
25. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
26. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
27. Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374
28. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
29. Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1281–1285
30. Генерация пикосекундных импульсов в инжекционных гетеролазерах с модулированной добротностью
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1093–1098
31. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
32. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
33. Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565
34. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
35. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
36. Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором
    
    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186
37. Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721
38. $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1409–1413
39. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
40. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
41. Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157
42. Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968
43. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
44. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
45. Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1237–1241
46. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1230–1232
47. Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758
48. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165
49. Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны ~ 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1698–1700
50. Волоконно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2486–2488
51. Модель лазера на основе YAG:Nd³⁺ с полупроводниковым преобразователем в системе накачки
    
    Квантовая электроника, 3:6 (1976),  1349–1352
52. Полупроводниковые приборы с гетеропереходами
    
    УФН, 108:3 (1972),  598–600


53. Радий Иванович Илькаев (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 188:10 (2018),  1135–1136
54. Юрий Моисеевич Каган (к 90-летию со дня рождения)
    
    УФН, 188:7 (2018),  799–800
55. К 75-летию Сергея Николаевича Багаева
    
    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  972
56. Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:12 (2016),  1381–1382
57. Владислав Борисович Тимофеев (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:9 (2016),  1027–1028
58. Ибрагимхан Камилович Камилов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:1 (2016),  107–108
59. Памяти Юрия Васильевича Копаева
    
    УФН, 183:5 (2013),  557–558
60. Сергей Николаевич Багаев (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 181:10 (2011),  1123–1124
61. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 181:1 (2011),  115–116
62. Александр Федорович Андреев (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 180:1 (2010),  109–110
63. Памяти Юрия Андреевича Осипьяна
    
    УФН, 178:11 (2008),  1239–1240
64. Памяти Карла Карловича Ребане
    
    УФН, 178:4 (2008),  443–444
65. Юрий Васильевич Копаев (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 177:11 (2007),  1251–1252
66. Памяти Бориса Александровича Мамырина
    
    УФН, 177:6 (2007),  693–694
67. Евгений Михайлович Дианов
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  94
68. Владислав Борисович Тимофеев (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:11 (2006),  1241–1242
69. Евгений Борисовиоч Александров (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:11 (2006),  1237–1238
70. Памяти Бориса Петровича Захарчени
    
    УФН, 176:8 (2006),  907–908
71. Геннадий Андреевич Месяц (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:2 (2006),  231–232
72. Владимир Евгеньевич Фортов (к шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:1 (2006),  117–118
73. Ибрагимхан Камилович Камилов (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 175:11 (2005),  1255–1256
74. Юрий Васильевич Гуляев (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 175:10 (2005),  1141–1142
75. Памяти Олега Игоревича Сумбаева
    
    УФН, 173:9 (2003),  1023–1024
76. Памяти Александра Михайловича Прохорова
    
    УФН, 172:7 (2002),  841–842
77. Памяти Исаака Михайловича Цидильковского
    
    УФН, 172:7 (2002),  839–840
78. Олег Николаевич Крохин
    (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 172:6 (2002),  723–724
79. Сергей Николаевич Багаев
    (к 60-летию со дня рождения)
    
    УФН, 171:10 (2001),  1145–1146
80. Юрий Андреевич Осипьян
    (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 171:2 (2001),  229–230
81. Александр Федорович Андреев (к 60-летию со дня рождения)
    
    УФН, 170:3 (2000),  345–346
82. Памяти Виктора Яковлевича Френкеля
    
    УФН, 167:8 (1997),  893–894
83. Памяти Георгия Вячеславовича Курдюмова
    
    УФН, 167:4 (1997),  463–464
84. Памяти Михаила Александровича Ельяшевича
    
    УФН, 166:8 (1996),  911–912
85. Александр Михайлович Прохоров (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 166:7 (1996),  805–806
86. Алексей Михайлович Бонч-Бруевич (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 166:6 (1996),  693–694
87. Юрий Васильевич Гуляев (к 60-летию со дня рождения)
    
    УФН, 165:9 (1995),  1099–1100
88. Исаак Михайлович Цидильковский (К семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 163:5 (1993),  131–132
89. Джон Бардин. Памяти великого физика современности
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  572–574
90. Памяти Льва Эммануиловича Гуревича
    
    УФН, 161:6 (1991),  207–209
91. Юрий Андреевич Осипьян (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 161:2 (1991),  195–197
92. Юрий Моисеевич Каган (к шестидесятилетию со дня рождения)
    
    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2560–2561
93. Владимир Иделевич Перель (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 156:3 (1988),  549–550
94. Борис Петрович Захарченя (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 155:1 (1988),  167–168
95. Виктор Евгеньевич Голант (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 154:1 (1988),  169–170
96. Алексей Михайлович Бонч-Бруевич (К семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 150:4 (1986),  637–638
97. Памяти Бенциона Моисеевича Вула
    
    УФН, 149:2 (1986),  349–350
98. Памяти Соломона Исааковича Пекара
    
    УФН, 149:1 (1986),  161–162
99. Серафим Николаевич Журков (К восьмидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 146:3 (1985),  547–548
100. Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 144:4 (1984),  687–688
101. Памяти Соломона Мееровича Рывкина
     
     УФН, 135:4 (1981),  719–720
102. Гасан Мамед Багир Оглы Абдуллаев (К шестидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 126:2 (1978),  349–351
103. Владимир Максимович Тучкевич (К семидесятилетию со дня рождения)
     
     УФН, 115:1 (1975),  149–152