Сурис Роберт Арнольдович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах
   
   УФН, 192:2 (2022),  121–142
2. Коллективные состояния экситонов в полупроводниках
   
   УФН, 190:11 (2020),  1121–1142
3. Памяти Владимира Борисовича Сандомирского (01.02.1929–19.06.2017)
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1725–1726
4. Влияние анизотропии проводящего слоя на закон дисперсии электромагнитных волн в слоистых металл-диэлектрических структурах
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012),  52–58
5. Кулоновские состояния в наноструктурах, случайное вырождение и оператор Лапласа–Рунге–Ленца
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:7 (2011),  614–618
6. Absolute negative conductivity and zero-resistance states in two dimensional electron systems: A plausible scenario
   
   Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  412–415
7. Блоховские осцилляции в сверхрешетках из квантовых точек
   
   УФН, 173:7 (2003),  769–776
8. Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ
   
   УФН, 170:3 (2000),  335–338
9. Исследования Я.И. Френкеля по теории электропроводности металлов
   
   УФН, 164:4 (1994),  379–396
10. Я.И. Френкель о реальной поверхности кристаллов
    
    УФН, 164:4 (1994),  348–352
11. Морфологическая стабильность вицинальной поверхности при молекулярной эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1522–1540
12. О возможностях миниатюризации передающего устройства при использовании сверхпроводников
    
    Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  54–58
13. Влияние спин-орбитального взаимодействия на пограничные состояния на гетеропереходах
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  934–942
14. Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1638–1644
15. Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в $P{-}i{-}N$-гетероструктурах при электропоглощении света
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1062–1066
16. Анализ рассеяния сигналов
    
    Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  65–69
17. О форме и энергии активации критического двумерного зародыша на поверхности [001] кристалла A$_{3}$B$_{5}$ при эпитаксиальном росте
    
    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  61–65
18. О возможности использования коаксиальных линий из ВТСП для межсоединений
    
    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  33–36
19. Решетка лазеров на основе многопроходной $p{-}n$-гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2140–2144
20. Влияние спонтанных флуктуаций на спектр излучения инжекционного полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2178–2182
21. Фотоэлектрический переходный процесс в неупорядоченном полупроводнике
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1223–1227
22. Переходы между легкими и тяжелыми дырками и свойства пограничных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  866–870
23. Фотопроводимость двумерного электронного газа в сильном магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2078–2083
24. Пограничные состояния в гетеропереходах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2008–2015
25. Электронные свойства полупроводников с высокой плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1769–1775
26. Уширение уровней Ландау двумерного электронного газа в сильном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1404–1409
27. Долговременные релаксации тока и сопутствующие им эффекты в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1199–1204
28. Электрический переходный процесс в полупроводнике с дисперсионным переносом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  665–671
29. Ширина линии излучения полупроводникового лазера с брегговским зеркалом
    
    Письма в ЖТФ, 12:14 (1986),  885–889
30. Аномальное сужение линии излучения полупроводникового лазера с составным резонатором
    
    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  776–780
31. Спектр излучения полупроводникового лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2085–2095
32. Дисперсионный перенос: протекание тока, контролируемого нестационарной инжекцией
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1638–1641
33. Влияние зависимости коэффициента преломления от концентрации носителей на спектр инжекционного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  427–433
34. Поглощение электромагнитного излучения носителями в полупроводниках со сверхрешеткой в поперечном магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1224–1229
35. Разогрев электронов в полупроводниках со сверхрешеткой
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1178–1184
36. О возможности определения пространственного распределения примесей в компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  370–373
37. Когерентность и спектральные свойства излучения полупроводникового лазера с внешним отражателем
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  35–43
38. Периодические процессы в компенсированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1500–1502
39. Роль примесей в возникновении многочастотной генерации в инжекционных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1353–1355
40. Взаимодействие акустических колебаний с волнами пространственной перезарядки ловушек в пьезополупроводнике
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  733–735
41. Исследование брэгговского отражения ПЭВ на дифракционной решетке
    
    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1502–1506
42. Вольт-амперные характеристики полосковых гетеролазеров
    
    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  452–455
43. Об одном механизме возникновения нелинейных особенностей ватт-амперных характеристик полосковых гетеролазеров
    
    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  449–452
44. Степень когерентности излучения полупроводникового лазера с внешним отражающим элементом
    
    Письма в ЖТФ, 9:6 (1983),  348–352
45. Экспериментальное определение функции атомного рассеяния из патерсоновских синтезов
    
    Докл. АН СССР, 233:6 (1977),  1094–1097
46. О некоторых свойствах сверхпроводящих соединений типа V$_3$Si
    
    УФН, 91:1 (1967),  113–120


47. Памяти Владимира Моисеевича Аграновича
    
    УФН, 194:6 (2024),  675–676
48. Гамма-кванты и нейтрино из космоса: что видим сейчас и что нужно, чтобы увидеть больше (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 21 апреля 2023 г.)
    
    УФН, 194:4 (2024),  369–370
49. К 90-летию О.Н. Крохина
    
    Квантовая электроника, 52:3 (2022),  306
50. Олег Николаевич Крохин (к 90-летию со дня рождения)
    
    УФН, 192:3 (2022),  341–342
51. Памяти Вадима Львовича Гуревича
    
    УФН, 192:2 (2022),  229–230
52. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894
53. К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  481
54. К 80-летию Сергея Николаевича Багаева
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  958
55. Вадим Вениаминович Бражкин (к 60-летию со дня рождения)
    
    УФН, 191:10 (2021),  1127–1128
56. Евгений Андреевич Виноградов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 191:10 (2021),  1125–1126
57. Николай Николаевич Розанов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 191:4 (2021),  445–446
58. Памяти Николая Николаевича Сибельдина
    
    УФН, 191:3 (2021),  333–334
59. Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)
    
    УФН, 190:12 (2020),  1343–1344
60. Памяти Дмитрия Александровича Варшаловича
    
    УФН, 190:7 (2020),  783–784
61. Памяти Вадима Васильевича Афросимова
    
    УФН, 189:8 (2019),  901–902
62. Памяти Жореса Ивановича Алферова
    
    УФН, 189:8 (2019),  899–900
63. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  285–286
64. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 188:1 (2018),  119–120
65. Сергей Михайлович Стишов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 187:12 (2017),  1403–1404
66. Владислав Борисович Тимофеев (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:9 (2016),  1027–1028
67. Памяти Евгения Павловича Мазеца
    
    УФН, 183:11 (2013),  1255–1256
68. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 181:1 (2011),  115–116
69. Жорес Иванович Алферов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 180:3 (2010),  333–334
70. Памяти Карла Карловича Ребане
    
    УФН, 178:4 (2008),  443–444
71. Владислав Борисович Тимофеев (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:11 (2006),  1241–1242
72. Евгений Борисовиоч Александров (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:11 (2006),  1237–1238
73. Памяти Бориса Петровича Захарчени
    
    УФН, 176:8 (2006),  907–908
74. Жорес Иванович Алферов (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 170:3 (2000),  349–350
75. Памяти Виктора Яковлевича Френкеля
    
    УФН, 167:8 (1997),  893–894
76. О XX Международной конференции по физике полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1263–1273
77. Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича
    
    УФН, 154:2 (1988),  335–336