RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Тарасов Илья Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
  2. Поляризационные эффекты в гетеролазерах In$_{28}$Ga$_{72}$As/GaAs на квантовой яме

    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1684–1690
  3. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах

    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
  4. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
  5. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm

    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37
  6. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
  7. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
  8. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294
  9. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
  10. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
  11. Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле

    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  834–838
  12. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
  13. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры

    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
  14. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
  15. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)

    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
  16. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
  17. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
  18. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации

    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
  19. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков

    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911
  20. Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок

    Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805
  21. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432
  22. Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  661–681
  23. Перестройка частоты генерации гетеролазера под влиянием ультразвуковых волн

    Письма в ЖЭТФ, 78:2 (2003),  77–81
  24. Полупроводниковый источник пикосекундных импульсов на длине волны 1.55 мкм

    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  23–27
  25. Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418
  26. Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  928–933
  27. Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21
  28. Источник пикосекундных импульсов на основе полупроводникового лазера с волоконным резонатором

    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  14–17
  29. Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286
  30. Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41
  31. Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54
  32. Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16
  33. Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках VO$_{2}$

    ЖТФ, 59:10 (1989),  174–177
  34. Формирование высокочастотной последовательности пикосекундных оптических импульсов на длине волны 1.32 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  64–68
  35. Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29
  36. Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132
  37. Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120
  38. Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246
  39. Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104
  40. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения

    ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824
  41. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829
  42. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
  43. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
  44. Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности

    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663
  45. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
  46. Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия

    ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876
  47. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
  48. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
  49. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459
  50. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
  51. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
  52. Об одном обобщении интерполяционного алгебраического многочлена на случай многих переменных

    Изв. вузов. Матем., 1984, № 2,  54–55
  53. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (${\lambda=1.55}$ мкм)

    ЖТФ, 54:10 (1984),  2047–2050
  54. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040
  55. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416
  56. Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038
  57. Низкопороговые мезаполосковые JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  961–964
  58. Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода

    ЖТФ, 53:10 (1983),  1973–1978
  59. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
  60. Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002
  61. Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны ~ 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1698–1700
  62. Задача обращения матрицы Вронского

    Изв. вузов. Матем., 1981, № 8,  80–82
  63. Макет волоконно-оптической линии связи со спектральным уплотнением в области 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2487–2490
  64. Индуктивная теория некоммутативных определителей

    Изв. вузов. Матем., 1964, № 4,  152–161
  65. Теория несобственных гиперполос в центроаффинном пространстве

    Изв. вузов. Матем., 1959, № 4,  161–167

© МИАН, 2024