Мухортов Владимир Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние подслоя Ba$_{0.2}$Sr$_{0.8}$TiО$_{3}$ на структуру и электрофизические характеристики пленок цирконата-титаната свинца на подложке Si(001)
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  41–44
2. Структура и динамика решетки двухслойных гетероструктур титаната бария-стронция и слоистого титаната висмута разной толщины на подложке окcида магния
   
   Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2178–2182
3. Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$/(Ba,Sr)TiO$_{3}$, осажденных на кремниевую подложку методом высокочастотного распыления при повышенных давлениях кислорода
   
   Физика твердого тела, 61:2 (2019),  278–283
4. Особенности эффекта поля в структуре металл–сегнетоэлектрик–полупроводник при использовании многослойных сегнетоэлектрических пленок с различными структурными типами
   
   Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1741–1747
5. Особенности сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах на основе титаната бария-стронция
   
   Физика твердого тела, 60:1 (2018),  113–117
6. Cтруктура и релаксация поляризованного состояния в тонких пленках Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$ на подложке (001) Si
   
   ЖТФ, 88:3 (2018),  418–421
7. Двумерный электронный газ на границе сегнетоэлектрика Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ и антиферромагнетика LaMnO$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:7 (2017),  440–444
8. Фазовые переходы в пленках титаната бария-стронция на подложках MgO различной ориентации
   
   Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1956–1963
9. Модифицированные соотношения для расчета диэлектрической проницаемости наноразмерных пленок титаната бария–стронция
   
   ЖТФ, 86:8 (2016),  102–106
10. Влияние механизмов роста на деформацию элементарной ячейки и переключение поляризации в гетероструктурах титаната бария–стронция на оксиде магния
    
    ЖТФ, 86:1 (2016),  93–98
11. Гетероэпитаксиальные пленки мультиферроика феррита висмута, допированного неодимом
    
    УФН, 179:8 (2009),  909–913
12. Свойства емкостного поперечного ВЧ разряда повышенного давления кислорода, используемого при получении тонких пленок сложного оксида
    
    ЖТФ, 62:5 (1992),  22–28
13. Фазовые переходы в гетероэпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках (Ва, Sr)TiO$_{3}/$(001)MgO
    
    ЖТФ, 58:7 (1988),  1449–1452
14. О связи между размерами кристаллитов, параметрами элементарных ячеек и диэлектрическими свойствами сегнетоэлектрических пленок (Ва, Sr)TiO$_{3}$
    
    ЖТФ, 56:7 (1986),  1372–1376
15. Сегнетоэлектрические свойства тонких пленок Pb(Zr,Ti)O$_{3}$, полученных ВЧ катодным распылением
    
    ЖТФ, 55:5 (1985),  959–961
16. Процессы, приводящие к эффекту памяти в структуре сегнетоэлектрическая пленка–монокристалл кремния
    
    ЖТФ, 55:1 (1985),  127–130
17. Исследование свойств структур Si$-$Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
    
    ЖТФ, 54:9 (1984),  1782–1786
18. Доменное строение гетероэпитаксиальных сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, полученных ВЧ катодным распылением
    
    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  612–614
19. Гетероэпитаксиальные сегнетоэлектрические пленки PbTiO$_{3}$, полученные ВЧ катодным распылением
    
    Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  163–166