|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN
Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 507–513
-
Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений
Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021), 248–255
-
Polarization conversion in MoS$_2$ flakes
Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1260
-
Локализация носителей в квантовых точках с одноосной анизотропией формы и состава
Физика твердого тела, 61:4 (2019), 636–644
-
Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe
Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1575–1579
-
Экситоны и биэкситоны в сфероидальных квантовых точках А$_{2}$B$_{6}$
Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1499–1502
-
Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 526
-
Biexciton binding energy in spherical quantum dots with $\Gamma_{8}$ valence band
Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 496
-
Биэкситон в квантовых точках $A_{2}B_{6}$ с различными локализующими потенциалами
Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1192–1200
-
Замедление света резонансными фотонными кристаллами со сложной элементарной ячейкой
Письма в ЖЭТФ, 105:1 (2017), 10–14
-
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K
Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2180–2185
-
Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек
Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2175–2179
-
Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N
УФН, 179:9 (2009), 1007–1012
© , 2024