Жуков Алексей Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
2. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
3. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
4. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
5. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
6. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
7. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды
   
   Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  30–33
8. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
   
   Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
9. Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K
   
   Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  110–117
10. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
11. Предельная температура генерации микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
12. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
13. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216
14. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
15. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
16. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
17. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
18. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
19. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
20. Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526
21. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
22. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  10–13
23. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
24. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
25. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
26. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
27. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
28. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
29. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
30. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
31. Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265
32. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
33. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
34. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
35. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386
36. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
37. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
38. Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377
39. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
40. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
41. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
42. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
43. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
44. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
45. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207
46. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
47. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
48. Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи
    
    Квантовая электроника, 44:3 (2014),  189–200
49. Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582
50. Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек для систем оптической связи
    
    Квантовая электроника, 38:5 (2008),  409–423
51. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками
    
    Квантовая электроника, 36:6 (2006),  527–531
52. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками
    
    УФН, 171:8 (2001),  855–857
53. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками
    
    УФН, 165:2 (1995),  224–225


54. Памяти Жореса Ивановича Алферова
    
    УФН, 189:8 (2019),  899–900
55. Жорес Иванович Алферов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 180:3 (2010),  333–334